英飞凌IPD90P03P4-04 OptiMOS-P2 功率晶体管技术规格

"IPD90P03P4-04是英飞凌科技公司生产的OptiMOS-P2系列的一款功率晶体管，主要用于电子元器件领域。该芯片具有P沟道、正常电平增强模式的特性，适用于汽车电子等高可靠性要求的场合。" IPD90P03P4-04是英飞凌的高性能功率半导体产品，其主要特点包括： 1. P通道-正常电平增强模式：这意味着该器件在低电压下也能实现良好的开关性能，适用于需要控制大电流的P通道MOSFET应用。 2. AEC合格认证：通过了汽车电子委员会（AEC）的资格认证，确保了其在汽车电子系统中的可靠性和耐久性。 3. MSL1等级：满足最高等级的湿度敏感度级别，可在高达260°C峰值回流温度下工作，保证了在制造过程中的稳定性。 4. 175°C运行温度：允许在高温环境下稳定工作，扩大了应用范围，尤其适合高温环境的电力系统。 5. 环保封装：符合RoHS标准，是一种绿色封装，无有害物质，符合当前环保趋势。 6. 100%雪崩测试：每个器件都经过了严格的雪崩能量和电流测试，确保了其在过载条件下的安全性。 技术规格方面，关键参数包括： - 连续漏极电流（ID）：在25°C时，最大额定值为-90A，100°C时同样为-90A。 - 脉冲漏极电流（ID,pulse）：25°C时，脉冲漏极电流可达到-360A。 - 雪崩能量（EAS）：在-45A的ID下，单脉冲雪崩能量为370mJ。 - 雪崩电流（IAS）：单脉冲雪崩电流的最大值为-90A。 - 栅源电压（VGS）：允许的最大电压为±20V。 - 总功率耗散（Ptot）：在25°C时，最大功率耗散为137W。 - 结壳热阻（RthJC）：典型值为1.1 K/W，表明芯片从内部结温到外壳的热传导效率。 - 结-空气热阻（RthJA）：在最小PCB安装条件下，其值至少为6°C/W。 封装类型为PG-TO252-3-11，产品标识为IPD90P03P4-04，包装上还有4P0304的标记。此器件适用于需要高效能、高可靠性的功率转换、电机驱动和电源管理等领域。 IPD90P03P4-04是一款专为高压、高电流应用设计的高品质P沟道MOSFET，其优秀的电气特性和环境适应性使其成为各种工业和汽车电子系统的理想选择。