ZVP2106GTA-VB: 高性能P沟道SOT223封装MOSFET特性与应用

本文档介绍了一款名为ZVP2106GTA-VB的P沟道SOT223封装MOSFET，该器件采用先进的TrenchFET® PowerMOSFET技术制造，具有出色的性能和可靠性。以下是关于这款MOSFET的关键知识点： 1. **特性概述**: - ZVP2106GTA-VB是针对60V耐压的P沟道MOSFET，特别适用于负载开关等应用。 - 100%的UISTest保证了产品的高质量，这意味着它在制造过程中经过严格的单元级测试。 2. **电气参数**: - 阀值电压（VDS）：最大允许电压为-60V，确保了安全的工作范围。 - RDS(on)：在VGS = -10V时，低阻态电阻为0.0Ω，表示在正常工作条件下电流效率高。 - ID(A)：在不同电压下有不同的连续电流限制，如-30nC在VGS = -4.5V时的栅极电荷，以及不同的温度条件下电流限制。 3. **封装与安装**: - SOT223封装便于表面安装，适用于小型电路板，如1"x1"FR4板。 4. **安全极限**: - 提供了最高和典型的最大电流（IDM）、Avalanche电流（IAS）、单脉冲雪崩能量（EAS）和连续源-漏电流（IS）限制。 - 功率消耗限制在不同的温度条件下有所不同，例如，TC=25°C时的连续功率耗散PD最大可达10.4W。 5. **温度范围**: - ZVP2106GTA-VB可以在-55℃至150℃的宽温范围内操作，且存储温度更低。 - 提供了热阻抗数据，如RthJA（Junction-to-Ambient）和RthJC（Junction-to-Case），有助于了解散热设计的要求。 6. **应用注意事项**: - 数据基于标准条件，如TC=25°C，实际应用可能需根据环境和系统需求进行调整。 ZVP2106GTA-VB是一款高性能、低阻抗的P沟道SOT223封装MOSFET，适合在各种需要高效率和紧凑空间的应用中使用，但用户在选择和应用时必须考虑到温度、电流和功率限制等因素，确保安全可靠运行。