SOT23封装P-Channel场效应MOS管J461-T1B-A-VB：低阻值、快速开关特性

J461-T1B-A-VB是一款采用SOT23封装的高性能P-Channel场效应MOS管，由VBsemi公司提供。这款MOSFET的主要特点如下： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，符合RoHS指令2002/95/EC的要求，注重绿色电子产品的制造。 2. **Trench FET®技术**：采用沟槽型场效应晶体管结构，提供了更低的漏极电阻（RDS(on) = 3000mΩ），有助于提高开关效率。 3. **高侧开关特性**：适合在高电压差下工作，支持高侧开关，方便在电路布局中实现紧凑的设计。 4. **低导通阈值**：VGS(th)典型值为-2V，这意味着即使在较低的栅极电压下也能快速开启。 5. **快速开关速度**：具有20ns的典型开关时间，适用于对响应速度有较高要求的应用。 6. **低输入电容**：输入电容低至20pF，有利于减少电源噪声和提高信号完整性。 7. **封装形式**：采用SOT23封装，占用空间小，便于集成到各种表面安装电路板（SMT）设计中。 8. **电流规格**： - 连续工作电流：ID在-500mA（TA=100°C）时可达最大值。 - 脉冲电流限制：脉冲工作电流IDM在-1500mA（TA=25°C）时受制于最大结温限制。 - 脉冲宽度：脉冲宽度测试要求PW≤300μs，占空比≤2%。 9. **功率处理能力**： - 功耗限制：在100°C环境下的最大功率消耗为460mW，而在100°C时降为240mW。 - 热阻：热耗散与环境温度之间的关系由RthJA定义，典型值为350°C/W。 10. **温度范围**：该MOSFET的正常工作和存储温度范围为-55°C至150°C。 11. **产品应用注意事项**： - 需要在最大结温条件下考虑脉冲测试限制。 - 设计时要考虑散热，确保在指定的功率和温度条件下可靠运行。 12. **售后服务**：VBsemi公司提供400-655-8788的服务热线，以解答用户在使用过程中可能遇到的问题。 J461-T1B-A-VB是一款性能优良、低功耗、高效率的P-Channel MOSFET，特别适合对小型化、高效率和快速开关有需求的电路设计，如开关电源、驱动电路或电机控制应用。