英飞凌600V CoolMOS C7 MOSFET技术规格手册

IPW60R180C7是英飞凌(INFINEON)推出的一款高性能600伏特CoolMOS™ C7系列功率晶体管。这款产品基于革命性的超级结(SJ)技术，该技术由Infineon Technologies率先开发。 CoolMOS™ C7系列集成了业界领先超级结MOSFET供应商的丰富经验和尖端创新，旨在提供卓越的性能和可靠性。 这款600V器件的主要特点是其低栅极导通电阻（RDS(on)），在单位面积下的值低于1欧姆·平方毫米，这在同类产品中独树一帜。这使得IPW60R180C7非常适合硬开关和软开关应用，如功率因数校正(PFC)和高效率的高频 LLC变换器。它的设计增强了晶体管对电压变化率（dv/dt）的耐受性，达到120伏特每纳秒，显著提升了电路的鲁棒性和效率。 该器件具有极高的效率，得益于其行业内最优的栅极电导（FOM RDS(on)*Eoss）和漏源电导（RDS(on)*Qg）。此外，IPW60R180C7还具备了卓越的栅极到漏源阻抗比（RDS(on)/package），这意味着在同等条件下，它能提供更低的开关损耗，从而节省能源。 对于工业级应用，IPW60R180C7已经通过了JEDEC标准（J-STD20和JESD22）的严格测试，确保了在恶劣环境和长时间工作的稳定性。这些特性使其成为工业自动化、电力电子设备以及电源管理等领域理想的解决方案，能够支持高性能、高可靠性和高效能的系统设计。 英飞凌的IPW60R180C7是一款专为高电压、高效率和高可靠性需求而设计的MOSFET，其技术优势和卓越性能使之在现代电子设备中占据重要地位。对于任何寻求在高压开关、驱动器和控制应用中实现创新和成本效益的工程师来说，这款芯片是一个值得深入研究和选择的关键元件。