STM32F10xxx中文闪存编程指南: ICP与IAP详解
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更新于2024-10-22
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STM32F10xxx闪存编程中文版指南深入讲解了STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx系列微控制器的内部闪存编程技术。该文档基于2008年9月英文第四版翻译,提供全面的指导,适合初学者和经验丰富的工程师。
1. **概述**:
- STM32F10xxx内置的闪存支持两种编程模式:在线编程(ICP)和在程序中编程(IAP)。ICP通过JTAG、SWD协议或Bootloader进行全闪存更新,适合快速和便捷的系统升级。而IAP则利用微控制器的通信接口如I/O、USB、CAN、UART、I2C或SPI下载代码,允许程序运行时更新。
2. **闪存模块组织**:
- 描述了闪存模块的结构,包括其在高级总线仲裁器AHB上的实现,这提供了预取缓存,加快了内存访问速度。此外,闪存接口还包括逻辑电路以支持在各种工作电压下进行编程和擦除,以及访问和写入保护功能。
3. **读/写操作**:
- 包括读取指令和使用D-Code接口的操作。闪存访问控制器负责管理这些过程,确保数据正确传输。
4. **FPEC (Flash Programming and Erase Controller)**:
- FPEC是核心组件,处理主闪存的编程、擦除和保护操作。它具有特定的键值用于解锁操作,并支持选择字节编程和保护,如写保护、读保护和选择字节块的保护。
5. **寄存器说明**:
- 提供了关于关键寄存器,如FLASH_ACR(闪存访问控制寄存器),用于配置和管理闪存的访问权限、操作模式和保护状态。
总结来说,此文档详细阐述了STM32F10xxx微控制器的闪存编程技术,覆盖了编程模式、接口操作、控制器功能以及寄存器设置,为开发人员提供了硬件升级和维护的重要参考资料。在进行STM32F10xxx项目开发时,理解和掌握这些内容对于确保代码的正确加载和保护至关重要。
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sunisi2008
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