FIR4N65BPG-VB:高性能N沟道MOS管技术规格
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更新于2024-08-03
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"FIR4N65BPG-VB是一种N沟道MOS场效应晶体管,采用TO251封装,适用于需要高耐压和低导通电阻的应用。这款器件具有低栅极电荷特性,简化了驱动需求,并在门极、雪崩和动态dv/dt方面表现出增强的鲁棒性。它还通过了RoHS指令2002/95/EC的合规性测试,确保符合环保要求。"
FIR4N65BPG-VB MOSFET的关键参数包括:
1. **最大漏源电压(VDS)**:650V,这意味着该器件能够在650V的电压下正常工作,而不会发生击穿。
2. **导通电阻(RDS(on))**:当栅极电压VGS为10V时,导通电阻为2.1Ω。这个参数决定了在MOSFET导通时的电压降,较低的RDS(on)意味着更低的功耗和更高的效率。
3. **栅极电荷(Qg)**:最大值为48nC,表示开启或关闭MOSFET所需的电荷量,较低的Qg意味着更快的开关速度。
4. **栅源电荷(Qgs)和栅漏电荷(Qgd)**:分别为12nC和19nC,这些参数影响开关性能和动态损耗。
5. **配置**:单个通道,表明这是一个单极型MOSFET,而非双极型。
6. **RoHS兼容性**:表明该产品符合欧盟关于限制有害物质的法规。
**绝对最大额定值**是在指定条件下的安全操作界限,超出了这些值可能会导致器件损坏:
- **漏源电压(VDS)**:650V。
- **栅源电压(VGS)**:±30V,超过此范围可能造成MOSFET永久损坏。
- **连续漏源电流(ID)**:在25°C时,当VGS = 10V时,ID的最大值为3.2A;在100°C时,ID降为4.2A。
- **脉冲漏源电流(IDM)**:最大脉冲电流为18A,但需注意防止结温过高。
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**:325mJ,超过了这个能量,MOSFET可能因雪崩效应而受损。
- **重复雪崩电流(IAR)**:4A,连续重复的雪崩电流不能超过这个值。
- **重复雪崩能量(EAR)**:6mJ,这是MOSFET能承受的最大重复雪崩能量。
- **最大功率耗散(PD)**:在25°C时,最大功率耗散为60W。
这些参数对于理解和设计使用FIR4N65BPG-VB的电路至关重要。例如,选择合适的驱动电路以确保足够的栅极电压来充分打开MOSFET,同时要关注其热管理,以避免因过热而导致的性能下降或设备损坏。在设计涉及大电流、高压切换的应用时,如电源转换器、电机驱动或逆变器,这款MOSFET因其低RDS(on)和良好的雪崩能力而成为一个理想的选择。
2024-08-30 上传
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