Hynix HY62UF16800B: 8Mbit超低功耗CMOS SRAM技术规格

"HYNIX HY62UF16800B是一款512Kx16位全CMOS SRAM，属于超低功耗型内存芯片，适用于高速度、低功耗电路设计，尤其适合高密度低功耗系统应用。它具有数据保留模式，在最低1.2V电源电压下仍能保证数据的有效性。" 本文档提供了Hynix Semiconductor Inc生产的HY62UF16800B系列512Kx16位3.0V超低功耗全CMOS慢速SRAM的相关信息。文档版本为Rev.02，发布日期为2002年4月。该SRAM芯片采用高性能全CMOS工艺技术，设计目标是实现高速度和低功耗。在具体规格上，文档更新了部分直流参数： - 工作电流Icc从4mA降低至3mA - 静态工作电流Icc1（最小值）从40mA减少到20mA - 瞬态工作电流Icc1（1us）从8mA降至2mA - 空闲状态电流Isb从0.1mA减小到0.3mA - 低功耗模式下的Isb1从25μA减少到15μA - 内存读取电流Iccdr从12μA减低至6μA 这些改动表明该芯片在保持高速运行的同时，进一步降低了功耗，使其在低功耗应用中更具优势。 HY62UF16800B的引脚配置也在Rev.02中进行了修订，E3DNU引脚更改为E3NCH。这款内存芯片的组织结构为524,288个16位单词，总计8Mbit的存储容量。其特征包括： 1. 完全静态操作：无需时钟即可保持数据，提高了系统的响应速度。 2. 超低功耗：在各种工作状态下显著降低电流消耗，适合电池供电或对功耗敏感的设备。 3. 数据保留模式：在低至1.2V的电源电压下，仍能保证数据的完整性，增加了系统的耐用性和可靠性。 4. 高速性能：尽管是低功耗设计，但依然具备高速读写能力，满足高性能计算需求。 这款SRAM适用于需要高效能、低功耗存储解决方案的领域，如嵌入式系统、移动设备、便携式电子设备以及任何对电源效率有严格要求的场合。设计者在使用此芯片时，应参照最新的数据手册以获取最准确的电气特性、引脚功能和应用指导。