模拟电子技术基础：童诗白课后习题与解析

"模拟电子技术基础 童诗白 课后答案" 本文主要涵盖了模拟电子技术的基础知识，包括半导体器件、PN结、晶体管、场效应管以及相关的电路分析。以下是详细的知识点： 1. **半导体器件**： - N型半导体：含有丰富的自由电子，但整体电中性，并不带负电。 - P型半导体：由掺杂三价元素（如硼）的N型半导体转变而来，多子为空穴。 - PN结：在无光照、无外加电压时，PN结的结电流为零。 2. **晶体管**： - 放大状态：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，此时集电极电流主要是少数载流子扩散形成，而非多子漂移。 3. **场效应管**： - 结型场效应管：栅一源间施加反向电压可增大耗尽层，保持高输入电阻。 - MOS管：耗尽型N沟道MOS管，如果栅源电压大于零，可能会进入饱和区，输入电阻降低。 4. **电路分析**： - PN结加正向电压时，空间电荷区变窄，反之变宽。 - 稳压管在反向击穿区（非反向截止）时能提供稳定的电压输出。 - 图T1.3展示了不同类型的二极管电路，计算了输出电压，例如，二极管导通电压UD=0.7V时，电路的电压值分别为UO1=1.3V，UO2=0V，UO3=-1.3V，UO4=2V，UO5=1.3V，UO6=-2V。 5. **稳压电路**： - 稳压管的稳压值UZ和稳定电流IZmin决定了电路的稳压效果。例如，当稳压管的稳压值UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA时，根据电路图可以计算出输出电压。 6. **基本放大电路**： - 图T1.5展示了基本共射放大电路，其中VCC=15V，UBE=0.7V。计算Rb=50kΩ时的输出电压Uo，以及临界饱和时的Rb值。 7. **MOS管的工作状态**： - 表T1.6给出了三个MOS管的电位和开启电压，通过比较这些值可以判断MOS管处于截止区、恒流区还是可变电阻区。例如，T1处于恒流区，T2处于截止区。 以上内容是模拟电子技术基础的一部分，涵盖了半导体的基本性质、PN结的行为、晶体管和场效应管的工作原理，以及基本放大电路的分析和MOS管的工作状态判断。这些知识对于理解和设计电子电路至关重要。