英飞凌BSC080N12LS 120V N沟道 MOSFET: 特性与规格

英飞凌(BSC080N12LS)是一款高性能的OptiMOSTM 2系列N沟道逻辑级功率晶体管，适用于120伏特的电压应用。这款器件的主要特点包括： 1. **结构与特性**： - **N沟道设计**：适合逻辑驱动电路，能够有效控制电流。 - **优秀的栅极电荷与漏阻抗乘积（FOM）**：表明在低栅极电压下具有较低的导通电阻，从而提高了效率。 - **低阻态电阻（RDS(on)）**：有助于减小开关损耗，适合高频开关和同步整流应用。 - **高温工作能力**：能承受高达150°C的工作温度，确保了设备在严苛环境下的稳定运行。 - **环保合规**：采用无铅封装并符合RoHS标准，同时符合IEC61249-2-21关于无卤素的要求。 2. **性能参数**： - **最大电压（VDS）**：120伏特，确保了元件在高压下的安全操作。 - **最大漏电流（RDS(on),max）**：8.0毫欧姆，显示出优良的导通特性。 - **集电极电流（ID）**：99安培，表示其大电流处理能力。 - **开通状态和关断状态电荷（Qoss和QG）**：79纳库仑，体现了器件的快速响应和低损耗切换。 3. **认证与代码**： - **产品验证**：已按照JEDEC工业应用标准进行了全面认证，确保了产品的可靠性和一致性。 - **型号与编码**：型号为BSC080N12LS，包装形式为PG-TDSON-8，订购代码为080N12LS。 - **版本信息**：该文档为第2.0修订版，发布日期为2019年11月25日。 4. **文档内容**： - **描述**：提供了关于BSC080N12LS的基本信息和功能介绍。 - **最大参数表**：列出了关键性能参数。 - **热和电气特性**：包括温度和电流限制，以及电压和功耗数据。 - **电气特性图表**：可视化展示器件的特性曲线，便于工程师理解和应用。 - **封装及标记**：展示了器件的物理尺寸和表面标记。 - **相关链接**：可能包含技术手册、数据表、应用笔记等进一步的参考资源。 这份BSC080N12LS的中文规格书详细介绍了英飞凌OptiMOST 2系列功率晶体管的特性、性能参数、封装信息以及相关的电气和热特性，是设计工程师评估和选择这款器件的重要参考资料。