NAND与NOR闪存烧写差异与ARM启动过程详解

本文主要讨论了NorFlash和NandFlash这两种常见的嵌入式闪存类型在硬件配置、启动流程以及应用中的区别。NorFlash和NandFlash是两种不同类型的非易失性随机存取存储器(NVM)，它们在存储和访问机制上有显著差异。 首先，NorFlash的特点在于其可以直接在闪存中执行代码，因为它具有独立的地址和数据线，可以立即响应读取请求。然而，NandFlash由于地址线和数据线共用，必须先进行寻址操作（如写入特定的起始地址标记，如0x55和0xAA），然后才能读取数据，效率较低。这使得NandFlash通常被用于大规模存储，如固件、文件系统等，而不直接执行代码。 在硬件启动过程中，通过设置S2跳转开关，开发板可以选择使用NorFlash作为引导设备进入BIOS模式，而Supervivi和U-Boot等bootloader可以根据需求选择不同的启动源。对于ARM平台如S3C2440，它支持多种启动模式，包括NAND和NorFlash。NAND启动模式适用于NandFlash，而NorFlash则可以通过OM[1:0]引脚的配置决定启动方式，如16/32位ROM或TestMode启动。 在S3C2440的硬件设计中，内存管理非常重要。该芯片有8个内存bank，其中6个可以作为ROM或SRAM，而剩下的2个bank提供更大的灵活性，可以作为SDRAM使用，支持不同的读写方式。NandFlash通常用于存储较大的文件系统，因为其不适合频繁的代码执行，而NorFlash则因其直接执行能力常用于存放启动代码、固件和部分运行时数据。 NorFlash和NandFlash的选择取决于应用的需求和性能要求。NorFlash由于其高速执行和独立寻址的优势，更适合存储执行代码和频繁访问的数据；而NandFlash则以其大容量和低成本，适用于存储大量数据和启动配置。在实际开发中，理解并正确配置这两种闪存类型对于实现高效的系统启动和内存管理至关重要。