英飞凌IPB156N22NFD MOSFET中文规格手册：低导通电阻、高耐压

IPB156N22NFD是一款由英飞凌(INFINEON)公司生产的高性能N沟道MOSFET，适用于220伏特电压的应用。该芯片的主要特点包括： 1. **类型与结构**： - N-channel：它是一种N型半导体，这意味着它的多数载流子是电子。 - Normal level gate：门极驱动要求正常电压，而非高或低电压，适合硬开关（hard-commutation）应用，提高了器件的耐受能力。 2. **性能参数**： - 最大集电极电压 (VDS)：220伏特，确保了在安全的工作范围内操作。 - 集电极漏电流 (RDS(on))：最大值为15.6毫欧姆，这表明在正常条件下，芯片的导通电阻非常低，有利于降低损耗。 - 驱动电流 (ID)：可达72安培，显示出其在大电流传输方面的高效率。 3. **封装和标识**： - 封装类型：D²PAK，这是一种紧凑型封装，有助于减小电路板面积和散热需求。 - 标记方式：采用PG-TO263-3封装，以及型号代码156N22NF。 - 符合标准：经过JEDEC J-STD20和JESD22认证，保证了芯片在特定目标应用中的性能和可靠性。 4. **特性优势**： - 快速二极管（Fast Diode, FD）设计，具有较低的钳位恢复时间（Qrr），有助于减少开关损耗。 - 较高的工作温度：175摄氏度，适应高温环境下的稳定运行。 - 环保特性：Pb-free铅-free材料，符合RoHS环保标准，且无卤素符合IEC 61249-2-21要求。 5. **文档内容**： - 数据表提供了详细的描述、最大额定值、热性能和电气特性数据，还包含电气特性曲线图。 - 包含了包装布局图、修订历史、商标声明和免责声明等信息，为用户提供了完整的产品规格和使用指南。 IPB156N22NFD是英飞凌的一款经济高效的MOSFET，特别适合于需要高效率、低损耗和耐高温的硬开关应用，同时满足了现代电子产品对环保和可靠性的要求。在设计电路时，设计师需要参考该手册的详细参数和特性，以确保最佳性能和系统稳定性。