TI ULN2003B：高电压高电流达灵顿晶体管阵列详细特性
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更新于2024-06-29
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TI-ULN2003B是一款高性能的高电压、高电流达灵顿晶体管阵列，由德州仪器（Texas Instruments）设计，特别适合于需要处理大电流应用的场合，例如继电器驱动、灯驱动、显示屏驱动和线路驱动等。该器件的主要特点包括：
1. 高电流能力：每个达灵顿对的集电极电流额定值为500mA，这意味着单个管子就支持大电流，而通过并联多个达灵顿对，可以进一步提升电流输出至更高的水平，达到500mA的额定值。
2. 高电压耐受：每个达灵顿对的输出可以承受高达50V的电压，确保在驱动各种负载时的安全性和可靠性。
3. 内置钳位二极管：为了保护晶体管免受反向电压的影响，每个达灵顿对都配备了共阴极钳位二极管，这对于电感负载的开关操作至关重要。
4. 逻辑兼容性：每个达灵顿管具有2.7kΩ的基极串联电阻，可以直接驱动TTL或CMOS逻辑电路，提供宽泛的输入兼容性。
5. 多种封装选项：ULN2003B提供多种封装形式，包括PDIP(16)的19.30mmx6.35mm，SOIC(16)的9.90mmx3.91mm以及TSSOP(16)的5.00mmx4.40mm，以适应不同的尺寸和空间需求。
6. 生产数据更新：产品的生产数据反映了发布时的技术规格，符合德州仪器的标准保修条款，但可能会随时间有所更新。
7. 应用示例：适用于继电器驱动器、灯驱动器、显示屏驱动（如LED和气体放电元件）以及线路驱动等场合，可通过其简洁的电路原理图帮助用户快速集成到他们的设计中。
TI-ULN2003B是一款功能强大且灵活的高电压、高电流晶体管阵列，对于需要处理大电流开关控制的应用来说，它提供了可靠的解决方案。无论是对于电子产品制造商还是系统设计师，理解和掌握这款器件的特点和用法都是至关重要的。
ULN2003B
www.ti.com.cn
ZHCSCU6A –JUNE 2014–REVISED SEPTEMBER 2014
7.5 Electrical Characteristics, T
A
= 25°C
TEST FIGURE ULN2003B
PARAMETER TEST CONDITIONS UNIT
MIN TYP MAX
I
C
= 200 mA 2.4
V
I(on)
On-state input voltage 图 12 V
CE
= 2 V I
C
= 250 mA 2.7 V
I
C
= 300 mA 3
I
I
= 250 μA, I
C
= 100 mA 0.9 1.1
Collector-emitter saturation
V
CE(sat)
图 11 I
I
= 350 μA, I
C
= 200 mA 1 1.3 V
voltage
I
I
= 500 μA, I
C
= 350 mA 1.2 1.6
I
CEX
Collector cutoff current 图 8 V
CE
= 50 V, I
I
= 0 10 μA
V
F
Clamp forward voltage 图 14 I
F
= 350 mA 1.7 2 V
I
I(off)
Off-state input current 图 9 V
CE
= 50 V, I
C
= 500 μA 50 65 μA
I
I
Input current 图 10 V
I
= 3.85 V 0.93 1.35 mA
I
R
Clamp reverse current 图 13 V
R
= 50 V 50 μA
C
i
Input capacitance V
I
= 0, f = 1 MHz 15 25 pF
7.6 Electrical Characteristics, T
A
= –40°C to 105°C
PARAMETER TEST FIGURE TEST CONDITIONS ULN2003B UNIT
MIN TYP MAX
I
C
= 200 mA 2.7
V
I(on)
On-state input voltage 图 12 V
CE
= 2 V I
C
= 250 mA 2.9 V
I
C
= 300 mA 3
I
I
= 250 μA, I
C
= 100 mA 0.9 1.2
V
CE(sat)
Collector-emitter saturation voltage 图 11 I
I
= 350 μA, I
C
= 200 mA 1 1.4 V
I
I
= 500 μA, I
C
= 350 mA 1.2 1.7
I
CEX
Collector cutoff current 图 8 V
CE
= 50 V, I
I
= 0 20 μA
V
F
Clamp forward voltage 图 14 I
F
= 350 mA 1.7 2.2 V
I
I(off)
Off-state input current 图 9 V
CE
= 50 V, I
C
= 500 μA 30 65 μA
I
I
Input current 图 10 V
I
= 3.85 V 0.93 1.35 mA
I
R
Clamp reverse current 图 13 V
R
= 50 V 100 μA
C
i
Input capacitance V
I
= 0, f = 1 MHz 15 25 pF
7.7 Switching Characteristics, T
A
= 25°C
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
t
PLH
Propagation delay time, low- to high-level output 0.25 1 μs
t
PHL
Propagation delay time, high- to low-level output 0.25 1 μs
V
S
–
V
OH
High-level output voltage after switching V
S
= 50 V, I
O
≈ 300 mA mV
20
7.8 Switching Characteristics, T
A
= –40°C to 105°C
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
t
PLH
Propagation delay time, low- to high-level output 1 10 μs
t
PHL
Propagation delay time, high- to low-level output 1 10 μs
V
S
–
V
OH
High-level output voltage after switching V
S
= 50 V, I
O
≈ 300 mA mV
50
版权 © 2014, Texas Instruments Incorporated 5
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