Samsung K6E0808C1C: 32Kx8Bit High-Speed Static RAM Datasheet

"Samsung K6E0808C1C-C是32Kx8位高速静态RAM（5V操作），具有进化引脚布局。该文档是三星电子发布的初步版本，修订历史显示从Rev.0.0到Rev.4.0的变更。" 三星的K6E0808C1C-C是一款32K字节乘以8位的高速静态随机存取存储器（SRAM），特别之处在于它可以在5伏特电压下正常工作，属于高效率、高性能的存储解决方案。"静态"意味着它无需持续刷新就能保持数据，与动态RAM（DRAM）相比，提供了更快的访问速度和更低的功耗。 "Evolutionary Pinout"可能指的是这款芯片在引脚布局上进行了优化，可能包括引脚功能的重新分配或引脚数量的减少，以适应更紧凑的封装和提高电路板的布线效率。文档的修订历史表明，随着版本的升级，三星对其电气参数进行了多次更新和改进。 在修订历史中，我们看到： 1. Rev.0.0是初步发布，而Rev.1.0至Rev.3.0逐步变为最终版本，说明产品从原型阶段逐步成熟。 2. Rev.2.0增加了VOH1=3.95V的测试条件，这关乎输出高电平电压，确保在特定条件下（Vcc=5V±5%，温度为25°C）的稳定输出。 3. Rev.3.0引入了28-TSOP1封装和L版本，以及数据保留特性。TSOP1封装是一种常见的表面贴装技术，适合高密度集成，而L版本可能代表低功耗或优化性能的变体。 4. Rev.4.0则删除了DIP封装、L版本和数据保留特性及波形。这可能意味着这些选项不再被支持，或者是产品线的调整，以适应更现代的封装技术和设计需求。 在电气特性方面，文档提到了tOE（读取延迟时间）从-8/10ns减少到-7ns，这表示芯片的读取速度得到了提升。不过，由于没有完整的数据表，无法提供全部的性能指标和使用指南。如果需要进一步的信息，应直接联系三星电子的当地办事处或总部获取详细的技术支持。