GD25Q16：16Mbit串行闪存，支持双、四SPI高速传输

"GD25Q16是GD公司的一款16M位的串行闪存芯片，型号为GD25Q16_Rev1.0。这款芯片具备高速、低功耗和灵活的架构特性，适用于需要快速数据存储和高效能的嵌入式系统应用。" GD25Q16是一款16兆位（16M-bit）的串行闪存设备，主要设计用于满足高速数据传输和低功耗的需求。该芯片支持标准的串行外设接口（SPI），并且增加了双线（Dual SPI）和四线（Quad SPI）模式，以提供更高的数据传输速率。 在性能方面，GD25Q16具有以下特点： 1. **编程/擦除速度**：芯片拥有2048K字节的存储容量，页编程时间仅为0.7毫秒典型值，每页可编程256字节。扇区擦除时间为50毫秒，块擦除时间分别为0.2、0.28和0.6毫秒，而芯片整体擦除时间约为10毫秒。 2. **接口支持**：除了标准SPI接口（包括SCLK时钟信号、CS#片选信号、SI输入数据、SO输出数据、WP#写保护和HOLD#保持信号）之外，还支持双线和四线SPI。四线SPI模式下，增加了IO2和IO3引脚，进一步提升数据传输速度。 3. **灵活的架构**：采用4K字节的扇区结构，以及32/64/128K字节的块结构，方便进行数据管理和操作。 4. **高速时钟频率**：支持高达120MHz的快速读取时钟频率，在30pf负载条件下，确保了高效的数据访问。 5. **低功耗**：在双线I/O数据传输模式下，可达180Mbits/s的速率，最大活动电流为20mA；四线I/O模式下，数据传输速率可达360Mbits/s，而待机时的最大电源关闭电流仅为5μA。 6. **写保护功能**：支持软件和硬件写保护，可以对全部或部分内存进行写保护。工作电压范围为2.7V至3.6V，通过WP#引脚可以启用或禁用保护，并可以选择顶部、底部、扇区或块进行保护。 7. **耐久性**：最小保证的编程/擦除周期为100,000次，确保了长期的可靠性和稳定性。 GD25Q16_Rev1.0是一款适用于各种需要高容量、高速度、低功耗非易失性存储解决方案的应用，如嵌入式系统、物联网设备、移动通信、消费电子等领域。它的灵活性和高性能特性使其成为现代电子设计的理想选择。