英飞凌SiC肖特基二极管IDL02G65C5规格书手册

英飞凌INFINEONIDL02G65C5 SiC Schottky二极管规格书手册 本规格书手册介绍了英飞凌INFINEON的IDL02G65C5 SiC Schottky二极管，主要特点包括革命性的半导体材料Silicon Carbide、benchmark开关行为、无反向恢复/无前向恢复、温度独立的开关行为、高冲击电流能力、Pb-free_lead镀层；RoHS合规、JEDEC认证等。 **Silicon Carbide（SiC）材料** SiC是一种革命性的半导体材料，具有出色的电子性质，例如高温稳定性、高速开关能力、低电阻率等。SiC材料在功率电子领域中的应用可以提高系统效率、降低成本、提高系统可靠性。 **Benchmark开关行为** IDL02G65C5 SiC Schottky二极管具有benchmark开关行为，意味着它可以在高速开关状态下保持稳定工作，提高系统效率和可靠性。 **无反向恢复/无前向恢复** IDL02G65C5 SiC Schottky二极管没有反向恢复和前向恢复现象，对系统的影响最小，提高了系统的可靠性和稳定性。 **温度独立的开关行为** IDL02G65C5 SiC Schottky二极管的开关行为不受温度的影响，保持稳定的工作状态，适合高温环境下的应用。 **高冲击电流能力** IDL02G65C5 SiC Schottky二极管具有高冲击电流能力，对于高电流应用非常适合。 **Pb-free_lead镀层；RoHS合规** IDL02G65C5 SiC Schottky二极管采用Pb-free_lead镀层，符合RoHS Directive的要求，符合环保和可持续发展的要求。 **JEDEC认证** IDL02G65C5 SiC Schottky二极管获得了JEDEC的认证，表明其符合业界的标准和规范。 **应用场景** IDL02G65C5 SiC Schottky二极管适用于各种应用场景，例如开关式电源、功率因数校正、太阳能逆变器等。 **技术参数** 参数 | 值 | 单位 ----------------|---------|------ VDC | 650 | V 本规格书手册提供了IDL02G65C5 SiC Schottky二极管的详细技术参数和应用场景，帮助工程师和设计人员更好地了解和应用该产品。