VB N-Channel MOSFET CMN3402: 30V SOT23 尺寸低电阻MOSFET特性与应用

"3402-CMN3402-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管，主要特点是无卤素，采用TrenchFET技术，通过100%Rg测试，符合RoHS指令。该MOSFET适用于DC/DC转换器等应用。关键参数包括：30V的额定漏源电压（VDS），在VGS=10V时的RDS(ON)为30mΩ，最大连续漏电流ID为6.5A，栅极电荷Qg典型值为4.5nC。" 3402-CMN3402-VB MOSFET是一款小型封装的功率半导体器件，其结构采用了先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上刻蚀出深沟槽，有效降低了导通电阻，从而提高了开关效率和热性能。这款MOSFET具有N-Channel沟道，意味着在栅极和源极之间施加正电压时，才能开启漏极到源极的电流流动。 在电气特性方面，MOSFET的最大漏源电压VDS为30V，这意味着在正常工作条件下，漏极和源极之间的电压不应超过这个值，以确保器件的可靠性。RDS(ON)是衡量MOSFET导通状态下的电阻，较低的RDS(ON)意味着更低的导通损耗，此款MOSFET在VGS=10V时的RDS(ON)为30毫欧，而在VGS=4.5V时则为33毫欧，这使得它适合在需要低损耗切换的应用中使用。 最大连续漏电流ID在环境温度为25°C时为6.5A，而当温度升高到70°C时，ID降为6.0A。需要注意的是，这些数值是在特定条件下的最大值，实际应用中需要考虑散热和工作温度的影响。脉冲漏电流IDM可达25A，表明在短时间内器件能承受的峰值电流。 此外，MOSFET内部包含一个源漏二极管，其在25°C时的最大连续电流IS为1.4A，但在表面安装于1"x1"FR4板上并考虑热条件后，这一值会降低。最大功率耗散PD在25°C时为1.7W，70°C时为1.1W，这些值限制了MOSFET可安全处理的功率水平。 器件的工作和存储温度范围为-55至150°C，确保了在各种环境下的稳定运行。SMT焊接推荐的峰值温度为260°C，以满足标准的SMT生产流程。热阻抗参数提供了关于器件在不同条件下的散热性能信息，这对于设计有效的散热方案至关重要。 3402-CMN3402-VB MOSFET因其小体积、低RDS(ON)和良好的热特性，特别适用于需要高效能和紧凑尺寸的电源转换应用，如DC/DC转换器。在设计电路时，必须充分考虑其电气和热性能参数，以确保器件在实际工作中的可靠性和效率。