英飞凌SPP06N80C3：高压CoolMOS™技术规格手册

"SPP06N80C3是一款由英飞凌科技(INFINEON)推出的新型高电压功率晶体管，其特色在于采用创新的高压技术，具备出色的dv/dt耐受能力，高峰值电流承载能力，且符合JEDEC标准，适用于工业应用中的高压直流环境和开关应用，如主动钳位前向转换器。该器件是无铅镀层的，符合RoHS规定，具有超低栅极电荷和低有效电容。主要参数包括：在25°C时的最大连续漏电流ID为6A，脉冲漏电流ID,pulse可达24A，单脉冲雪崩能量EAS为230mJ，重复雪崩能量EAR和雪崩电流IAR也有明确的规格。此外，它能承受高达640V的VDS下的dv/dt冲击，静态及交流条件下的栅源电压VGS分别可达到8V和6V，最大总功率损耗Ptot为50W，工作和存储温度范围为-55°C至150°C，安装扭矩推荐为60Ncm。" 文章内容详细展开： SPP06N80C3是一款由英飞凌科技设计制造的CoolMOS™功率晶体管，采用革命性的高电压技术，这使得该器件在处理高压任务时表现出色。它的主要特点之一是能够承受极端的dv/dt速率，这意味着它能够在快速电压变化下保持稳定，这对于需要快速开关操作的应用至关重要。 此外，SPP06N80C3具有高峰值电流承载能力，这使得它在瞬时大电流条件下也能保持良好的性能。这款芯片经过JEDEC（半导体设备和材料国际）的认证，适用于目标应用，确保了其在行业标准下的可靠性和稳定性。同时，作为环保友好型产品，SPP06N80C3采用无铅镀层，符合欧盟的RoHS（限制有害物质指令）规定。 在电气特性方面，SPP06N80C3的最大连续漏电流ID在25°C时为6A，而在100°C时降至3.8A。脉冲漏电流ID,pulse在25°C下可达到24A，表明了它在短时高电流下的工作能力。该芯片还能承受一定的雪崩能量，如单脉冲雪崩能量EAS在ID=1.2A和VDD=50V时为230mJ，而重复雪崩能量EAR和雪崩电流IAR也有明确的规格，保证了其在过载情况下的安全性。 MOSFET的dv/dt耐受能力是衡量其在高速开关过程中的抗扰度的一个关键指标，SPP06N80C3能在0到640V的VDS范围内承受高dv/dt值，这一特性对于在高频开关电路中防止损坏至关重要。栅源电压VGS的最大值为8V（静态）和6V（交流，f>1Hz），确保了器件的良好控制。另外，最大总功率损耗Ptot为50W，确保了在正常工作条件下的热稳定性。其工作和存储温度范围广泛，从-55°C到150°C，适应各种环境条件。安装扭矩推荐值为60Ncm，确保了封装的稳固性。 SPP06N80C3是一款高性能、高可靠性、环保的功率晶体管，适合应用于需要处理高电压、快速切换和高电流的工业环境中，例如在高压直流系统或主动钳位前向转换等电源转换应用中。其低栅极电荷和低有效电容则进一步提高了开关效率，降低了功耗。