POWER
MCU
LED
Mic
、
Earphone
BT_OSCOBT_OSCI
Y1 24M
D1
BLUE
D2
RED/CHARG_LED
BT_OSCO
BT_OSCI
C1
224
C2
224
C10
106
L1
10uH/100mA
BT_AVDD
BT_AVDD
DC5V
VBAT
L4
NC
BT_ANT
BT_RF
VCOM
DACVDD
AGND
VCOMO
DACL
MIC
DACR
C7
105
C5
105/10V
SW
C17 105
+3.3V
C14
105
MIC
P/P/POWER
BT1
3.4V~4.2V
VBAT
C6
NC
备注：
1、GND、AGND在电池地处短接在一起！
2、电池必须使用带保护板的电池
USBDP
USBDM
LED_B/R
T1
DP
T2 DM
DC5V
+5V
1
DM
2
DP
3
ID
4
6
GND
6
6
6
6
J4
USB(MICRO)
LED_B/R
C11
104
L3
NC
C16
2.7P
C3
105
GND
SD0
1
SDA/SDI/SDO
2
VDD_IO
3
NC
4
INT
5
INT2
6
VDD
7
GND_IO
8
GND
9
CSB
10
NC
11
SCL
12
U2
DA230/SC7A21
G_SCL
G_SDA
G_PWR
C18
NC
C4
104
G_SCL
G_SDA
M1
MIC3722
DACR
J5
Earphone
DACL
G-SENSOR
MIC_POWER
USB口预留测试点
P/P/POWER
模拟硅MIC
驻极体MIC
S1
P/P/POWER/TALK
P/P/POWER
1、硅麦：一致性好，灵敏度高，抗干扰能力强，通话效果好
备注：
+
M2
MIC4013
C8
NC
MIC
+3.3V
MIC_POWER
晶振选型：
要求：内部负载电容:12PF；频偏偏差:±10PPM以内
备注：天线匹配电路参数，以实际样机调试结果为准。
GND
备注：
1、VBAT，LDO_IN必须使用耐压值为10V的原装电容。
2、VDD IO，VBAT必须使用原装电容，以防漏电。
3、没有备注耐压值的电容，统一用耐压值6.3V的电容，
所有电容请使用原装电容，以保证容值。
BT_AVDD
KEY
ADC11/USBDM
24
ADC10/USBDP
25
BT_OSCO
19
BT_RF
16
SW
8
BT_OSCI
18
GND(衬底)
0
PGND
7
LDO_IN
10
PB3/OSC32KI
12
VDDIO
3
DACVSS
1
VCOM
32
ADC0/MIC/PA1
27
VSSIO
17
DACR
28
DACL
29
DACVDD
31
VCOMO
30
VBAT
9
BT_AVDD
11
PB2/OSC32KO/ADC12
13
ADC2/AUX1R/PA4
26
PB0
15
PB1/ADC6
14
SD1DAT/PA8
22
AVDD
2
ADC5/SD1CLK/PA10
20
ADC4/SD1CMD/PA9
21
PB8
4
PB7/AUX0R/ADC9
5
PB6/AUX0L/ADC8
6
DVDD
23
U1
AC6936D_QFN32
C9 105
DVDD
LDO _IN电容位置预留
G_PWR
G_PWR
OC/OD
1
GND
2
TCH
3
AHLB
4
VDD
5
TOG
6
U3
RH6015/ASC8233D/ASC0102
Touch PAD
P/P/POWER
G_PWR
TOUCH_KEY
C13
105
C12
1pF~50pF
G_PWR
G-sensor和触摸采用 IO口供电，可减 小Poweroff模式耳机功耗
R1
1K
C19
NC
C15
104
MIC电路处的滤 波电容 位置需 预留
注意：PCB Layout需要分地（区分 AGND和GND）
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