PROM、、EEPROM、、FLASH、、SRAM、、DRAM等存储器比较等存储器比较
本文主要讲述了PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM之间的区别及组成，按各类型之间的区分
PROM、EEPROM、FLASH的总结性区别
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅
层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个
附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技
术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同
是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要 EEPROM单元里那个多余的Tansister，所
以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。 其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的
最主要的区别就是：
1、EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能按“块”一大片一大片的擦写。
2、EEPROM 一般容量都不大，如果大的话，EEPROM相对与FLASH 就没有价格上的优势了。市面上卖的stand alone 的
EERPOM 一般都是在64KBIT 以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上（NOR 型）。
3、读的速度的话，应该不是两者的差别，只是EERPOM一般用于低端产品，读的速度不需要那么快，真要做的话，其实也是
可以做的和FLASH差不多。
4、因为EEPROM的存储单元是两个管子，而FLASH 是一个（SST的除外，类似于两管），所以CYCLING 的话，EEPROM
比FLASH 要好一些，到1000K次也没有问题的。
总的来说，对于用户来说，EEPROM和 FLASH没有大的区别，只是EEPROM是低端产品，容量低，价格便宜，但是稳定性
较FLASH要好一些。
但对于EEPROM和FLASH的设计来说，FLASH则要难的多，不论是从工艺上的还是从外围电路设计上来说。
Flash Memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块
(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)， 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪
存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，
具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM就显得不合适， 因为RAM需要能够按字节改写，而
Flash ROM做不到。
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在
系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两
大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以
只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数
据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机
内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM
等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本
一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，
而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR
RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是，PROM是一次性的，也就是
软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了；而EPROM是通过紫外光的照射擦除原先的程序，
是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦除，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过
记录(通话记录保存在 EEPROM中)，因为当时有很重要工作(通话)要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同
时可以快速读取数据 (NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用
ROM(EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来 Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储
Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用(U盘)。
目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行
装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，
它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运
行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还做上了一块小的NOR Flash来运
行启动代码。
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH。最常见的
NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主
要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。 话说SRAM,DRAM,SDRAM
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