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GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD 保
护结构原理说明
在早期的 ESD 保护方案中，这种反接在电源间的 diode 结构被广泛应用。
正向连接的 diode 可以更好的处理大电流传输，但由于其较低的正向启动点压
（6.5V），这样就限制了其在较高电源电平的电路中的应用。多极串联 diode（正
向或者反向）可以解决这个问题，但是，同时由于其阻抗的增加减弱了其电流处
理能力。用大尺寸的 diode 提高 ESD 保护性能的同时会产生更多的寄生效应。
目前 I/O 中还添加了应用广泛的 ggNMOS（grounded-gate NMOS）ESD 保
护结构，Drain 端接至 PAD，Gate 端接至电源地。ESD 保护利用其寄生的 NPN
三极管，形成一个低阻抗的放电通路，以此来保护 IC 的内部电路。
如下图所示
GGNMOS 静电保护的工作原理
GGNMOS 的剖面结构如下
当 PAD 端聚集大量的负电荷时，通过 Drain 端与 P-substrate 之间的 PN 结，
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