基于基于J750EX测试系统的测试系统的SRAM VDSR32M32测试技术研究测试技术研究
VDSR32M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的静态随机器(SRAM)用其对大容量数据进行高速
存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理,其次详细阐述了基于J750测试系统的测试技术研究,提出了采用
J750EX测试系统的DSIO及其他模块实现对SRAM VDSR16M32进行电性测试及功能测试。另外,针对SRAM
的关键时序参数,如TAA(地址变化到数据输出有效时间)、TACS(片选下降到数据输出有效时间)、TOE(读信号
下降到数据输出有效时间)等,使用测试系统为器件施加适当的控制激励,完成SRAM的时序配合,从而达到器
件性能的测试要求。1引言SRAM静态随机存取存储器是一种具有静止
VDSR32M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的静态随机器(SRAM)用其对大容量数据进行高速存取。本文首
先介绍了该芯片的结构和原理,其次详细阐述了基于J750
测试
系统的
测试
技术研究,提出了采用J750EX
测试
系统的DSIO及
其他模块实现对SRAM VDSR16M32进行电性测试及功能测试。另外,针对SRAM的关键时序参数,如TAA(地址变化到数据
输出有效时间)、TACS(片选下降到数据输出有效时间)、TOE(读信号下降到数据输出有效时间)等,使用测试系统为器件施加
适当的控制激励,完成SRAM的时序配合,从而达到器件性能的测试要求。
1引言
SRAM静态随机存取存储器是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路技能保存它内部存储的数据。它的主要优点是速
度快,不必配备刷新电路,可提高整体的工作效率。集成度低,功耗小,相同容量的体积较大,而且价格较高。但在串行低速
数据到并行高速数据转换的过程中,存储器起的是数据缓冲作用。为了得到更高的传输速度和更大的传输容量,需要更高的速
度和更大容量的存储器。VDSR32M32是珠海欧比特公司研制出的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器,内部由8片
256Kbit CMOS SRAM组成,实现了由8个存储容量为256K×16bits字节的芯片扩展成容量为1M×32bits的SIP大容量存储器芯
片,同时具有设计简单,应用灵活等特点。
2VDSR32M32芯片介绍
2.1VDSR32M32的结构
本器件是一种大容量、高速的SRAM。采用了先进的立体封装技术,把8片高速大容量的SRAM分八层进行叠装,组成了总容
量为32M bit数据宽度为32位的大容量存储器,具体内部结构见图1. 这种结构不但大大的扩充了存储器的容量和数据位宽,而
且还可以在应用时大量节省了PCB板的使用空间。通过应用了立体封装的技术缩短了互连导线,从而降低了寄生效应,使得
器件具有高性能、高可靠、长寿命、大容量等的性能特点。图2为VDSR32M32中的任一Block的结构框图,它主要由控制逻
辑、存储整列等组成。
VDSR32M32主要特性如下:
总容量:32M bit;
工作电压:3.3V(典型值),3.0~ 3.6V(范围值);
数据宽度:32位;
访问周期:12ns;
所有输入输出兼容TTL电平;
68脚SOP II 封装。
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