CP
、
FT
、
WAT
CP 是把坏的 Die 挑出来,可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道 Wafer 的良率。
FT 是把坏的 chip 挑出来;检验封装的良率。
现在对于一般的 wafer 工艺,很多公司多把 CP 给省了;减少成本。
CP 对整片 Wafer 的每个 Die 来测试
而 FT 则对封装好的 Chip 来测试。
CP Pass 才会去封装。然后 FT,确保封装后也 Pass。
WAT 是 Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各
步工艺是否正常和稳定;
CP 是 wafer level 的 chip probing,是整个 wafer 工艺,包括 backgrinding 和 backmetal(if need),
对一些基本器件参数的测试,如 vt(阈值电压),Rdson(导通电阻),BVdss(源漏击穿电压),
Igss(栅源漏电流),Idss(漏源漏电流)等,一般测试机台的电压和功率不会很高;
FT 是 packaged chip level 的 Final Test,主要是对于这个(CP passed)IC 或 Device 芯片应用方
面的测试,有些甚至是待机测试;
Pass FP 还不够,还需要做 process qual 和 product qual
CP 测试对 Memory 来说还有一个非常重要的作用,那就是通过 MRA 计算出 chip level 的
Repair address,通过 Laser Repair 将 CP 测试中的 Repairable die 修补回来,这样保证了 yield
和 reliability 两方面的提升。
CP 是对 wafer 进行测试,检查 fab 厂制造的工艺水平
FT 是对 package 进行测试,检查封装厂制造的工艺水平
对于测试项来说,有些测试项在 CP 时会进行测试,在 FT 时就不用再次进行测试了,节省了
FT 测试时间;但是有些测试项必须在 FT 时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求)
一般来说,CP 测试的项目比较多,比较全;FT 测的项目比较少,但都是关键项目,条件严
格。但也有很多公司只做 FT 不做 CP(如果 FT 和封装 yield 高的话,CP 就失去意义了)。
在测试方面,CP 比较难的是探针卡的制作,并行测试的干扰问题。FT 相对来说简单一点。
还有一点,memory 测试的 CP 会更难,因为要做 redundancy analysis,写程序很麻烦。
CP 在整个制程中算是半成品测试,目的有 2 个,1 个是监控前道工艺良率,另一个是降低
后道成本(避免封装过多的坏芯片),其能够测试的项比 FT 要少些。最简单的一个例子,碰
到大电流测试项 CP 肯定是不测的(探针容许的电流有限),这项只能在封装后的 FT 测。不
过许多项 CP 测试后 FT 的时候就可以免掉不测了(可以提高效率),所以有时会觉得 FT 的测
试项比 CP 少很多。
应该说 WAT 的测试项和 CP/FT 是不同的。CP 不是制造(FAB)测的!
而 CP 的项目是从属于 FT 的(也就是说 CP 测的只会比 FT 少),项目完全一样的;不同的是
卡的 SPEC 而已;因为封装都会导致参数漂移,所以 CP 测试 SPEC 收的要比 FT 更紧以确保最
终成品 FT 良率。还有相当多的 DH 把 wafer 做成几个系列通用的 die,在 CP 是通过 trimming
来定向确定做成其系列中的某一款,这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案;所以除非你
公司的 wafer 封装成 device 是唯一的,且 WAT 良率在 99%左右,才会盲封的。
据我所知盲封的 DH 很少很少,风险实在太大,不容易受控。
WAT:wafer level 的管芯或结构测试
CP:wafer level 的电路测试含功能
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