高性能高性能CMOS集成电压比较器设计集成电压比较器设计
电压比较器是对输入信号进行鉴幅与比较的电路，其功能是比较一个模拟信号和另一个模拟信号(参考信号)，并
以输出比较得到的二进制信号。其在A／D转换器、数据传输器、切换功率调节器等设备中有着广泛的应用。在
高速度、高精度A／D转换器中，比较器的精度和速度直接影响转换电路的转换精度和转换速度等关键指标；在
数据传输器中，比较器的性能对数据传输的误码率有着很大的影响；
电压
1 比较器电路设计比较器电路设计
这里介绍的电压比较器是传统的预放大锁存比较器，采用预放大器、锁存比较器和输出缓冲级级联的方式来实现，其原理
框图如图1所示。
如图2中第一部分所示，M20和M21构成差分放大管；M4，M6组成有源负载。M2，M3分别与M4，M6并联，以向差分放大管
注人大电流，同时也减小了M4和M6的宽长比，降低了电路的输入电容，以利于电路提高频率特性。该放大器的增益可表示
为：
从式(1)可以看出，在管子宽长比确定后，Av与(1+ISD2／ISD4)1/2成正比，若M2向M21注入大电流，则在保证高频时能提高
放大器的增益。该放大器的增益为12．9 dB(4．415 7倍)，3 dB带宽为582．64 MHz。
1．．2 锁存比较电路锁存比较电路
锁存比较电路是整个比较器的核心部分，它应能区分毫伏量级的输入信号差。如图2中第二部分所示， M17,M18交叉互连
实现正反馈，以提高比较电路的增益。利用前级预放大器的输出，控制锁存器输入电流I+，I_的变化，若I_远大于I_，则M16
和 M18导通，Vout-△0，Uout+=(2L16I+／WμnCox)+VTHN；若I_增大而I+减小，M18的漏一源电压升高，当高到M17的
VTHN时，M17导通，此时M17管开始抽取原来流过M16管的电流，这会使M16管的漏一源电压下降，并导致M18管截止，电
路的输出状态发生转换。当I-增大到一定程度时会导致M18进入饱和区，此时临界电流值I-=(I+)(W17μnCox／L17)／
(W16μnCox／L16)，该电流临界点也是输出电压发生转换的临界点。同理可得，当I+增大时，发生转换的电流临界点I+=(I-)
(W17μnCox／L17)／ (W16μCox／L16)。
该锁存比较器发生转换时的输入电压差为1．37 mV。从锁存器的瞬态特性可以看出，在输入信号发生跳变时，通过比较输入
评论0