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STM32的FSMC扩展SRAM的时序测量及配

1.STM32F103的FSMC扩展SRAM时序介绍及测量 2.STM32F2/F4的FSMC扩展SRAM时序介绍及测量 3.IS61LV25616高速SRAM的时序配置 4.EM681FV16AU中速大容量SRAM的时序配置
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STM32 的 FSMC 扩展 SRAM 的时序测量及配置
STM32 的 FSMC 扩展 SRAM 的时序测量及配置
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1.STM32F103 的 FSMC 扩展 SRAM 时序介绍及测量
2.STM32F2/F4 的 FSMC 扩展 SRAM 时序介绍及测量
3.IS61LV25616 高速 SRAM 的时序配置
4.EM681FV16AU 中速大容量 SRAM 的时序配置
Author: aozima
2012/4/30

STM32 的 FSMC 扩展 SRAM 的时序测量及配置
1.STM32F103 的 FSMC 扩展 SRAM 时序介绍及测量
1.1 时序介绍
在扩展 SRAM 时,一般使用模式 1 或模式 A,模式 A 与模式 1 的主要区别有两点:
模式 A 时,读写的时序可以独立调整;
模式 A 时,NOE 在地址建立延时以后才变为有效。
模式 1 与模式 A 的配置上仅 EXTMOD 位不同。因此,在 STM32 的固件库里面并没有
模式 1,只有模式 A,当不使用扩展模式时就是模式 1。
以上是读时序图,从上图可以看到:
1.FSMC 扩展 SRAM 基本时间单位为 HCLK。
2.地址建立时间为 ADDSET+1,其中 ADDSET 的取值范围是 0~15。
3.数据设置为 DATSET+1,其中 DATSET 的取值范围是 1~15。
4.在数据就绪后,还要 2 个 HCLK 周期用于读取数据。
另外,在读操作完成后,还会插入 6HCLK 用于等待数据总线恢复高阻状态。
Author: aozima
2012/4/30

STM32 的 FSMC 扩展 SRAM 的时序测量及配置
以上是写时序图,从上图可以看到:
1.地址建立时间为 ADDSET+1,其中 ADDSET 的取值范围是 0~15。
2.数据设置为 DATSET+1,其中 DATSET 的取值范围是 1~15。
根据读写时序图我们可以计算出 STM32F103 的 FSMC 在扩展 SRAM 时:
1.最短读取时间为 5HCLK。
2.最短写入时间为 3HCLK。
1.2 时序测量
STM32F103 的最高主频为 72Mhz,计算出每个 HCLK 的周期为 13.89ns。
在测试中,我们设置地址建立时间为 0,数据建立时间为 1,
BUSTURN 设置为 0(即读等待
为 6HCLK),没有使用扩展模式(即模式 1)。
1.2.1 CPU 访问
总线宽度配置为 16 位,在测试中,程序连接存取 4 次,以下测量图。
注:黄线线为 CS,蓝色线分别为 NOE 和 NWE。
Author: aozima
2012/4/30

STM32 的 FSMC 扩展 SRAM 的时序测量及配置
测试图:8bit read
测试图:8bit write
Author: aozima
2012/4/30

STM32 的 FSMC 扩展 SRAM 的时序测量及配置
测试图:16bit read
测试图:16bit write
Author: aozima
2012/4/30
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