Batch Processing/整批处理:当使用特定机具进行连续生产仍无法达到所需要
的产品数量时,所使用的一种生产方法。
BEOL(back-end of line)/后段制程线路
BGA(ball grid array)/球栅式数组构装:一种利用数组式锡球做为电讯接点,
使芯片装置于基板上之表面构装技术。
Burn in/预烧:一种加速组件老化之方式,通常是提高温度、电压,利用此试
验可使组件特性较稳定,并发现早期破坏之组件。
【C】
C4(controlled collapse chip connection)/控制塌陷高度芯片连接:一种由液
体
焊料之表面张力控制接点连接高度,并支持芯片重量的覆晶式连接方法。
Capacitance/电容:具有一或多组导体与介电层,当导体间存在电位差时,可
允许电量储存于其间。
CBGA(ceramic ball grid array)/陶瓷球栅式数组构装
Ceramic substrates/陶瓷基板:无机,非金属材料具有寿命长、低耗损、抗高操
作温度之特性;包括氧化铝、氧化铍、玻璃与陶瓷材料等。
CSP(chip scale package or chip size package)/芯片尺寸构装:泛指构装体
边长较内含芯片边长大 20%以内之芯片构装。
Circuit/电路:组件间用来传递电子讯号之封闭回路。
Clean room/无尘室:具有过滤空气中灰尘粒子功能之加工区域。
CMOS(complementary metal oxide semiconductor)/型金氧半导体:同时
使用
N 型与 P 型金氧半导体,使用户补型金氧半导体之芯片较使用单一种类半导体之芯
片所需电流为低。应用于多种利用电池提供电力的装置,如便携计算机,其中亦具
有一利用电池提供电力之互补型金氧半导体储存内部数据、时间与设定参数。
COB(chip-on-board)/芯片直接构装:将裸晶直接黏在有机多层基板与其他表
面固定式集成电路组件上方。
Coplanarity/共平面性:当进行表面测量时,晶圆、基板或构装体上最高与最
低点间之距离。覆晶结构之共平面性一般指其最低予最高凸块间之高度差。
CPLD(complex programmable logic device IC)/复杂可程序化逻辑组件
C-SAM(c-mode scanning acoustic microscopy)/扫描式声波显微镜
CSP-C(CSP ceramic)/陶瓷芯片尺寸构装
CSP-L(CSP laminate)/层状芯片尺寸构装
CTE(coefficient of thermal expansion)/热膨胀系数:为每温度变化下之材料
变
形。该物理意义为单位温度变化下之材料尺寸变化。
【D】
Daughter card/子板:任何可与其他机板相接之电路板。
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