Batch Processing/整批处理：当使用特定机具进行连续生产仍无法达到所需要
的产品数量时，所使用的一种生产方法。
BEOL（back-end of line）/后段制程线路
BGA（ball grid array）/球栅式数组构装：一种利用数组式锡球做为电讯接点，
使芯片装置于基板上之表面构装技术。
Burn in/预烧：一种加速组件老化之方式，通常是提高温度、电压，利用此试
验可使组件特性较稳定，并发现早期破坏之组件。
【C】
C4（controlled collapse chip connection）/控制塌陷高度芯片连接：一种由液
体
焊料之表面张力控制接点连接高度，并支持芯片重量的覆晶式连接方法。
Capacitance/电容：具有一或多组导体与介电层，当导体间存在电位差时，可
允许电量储存于其间。
CBGA（ceramic ball grid array）/陶瓷球栅式数组构装
Ceramic substrates/陶瓷基板：无机，非金属材料具有寿命长、低耗损、抗高操
作温度之特性；包括氧化铝、氧化铍、玻璃与陶瓷材料等。
CSP（chip scale package or chip size package）/芯片尺寸构装：泛指构装体
边长较内含芯片边长大 20%以内之芯片构装。
Circuit/电路：组件间用来传递电子讯号之封闭回路。
Clean room/无尘室：具有过滤空气中灰尘粒子功能之加工区域。
CMOS（complementary metal oxide semiconductor）/型金氧半导体：同时
使用
N 型与 P 型金氧半导体，使用户补型金氧半导体之芯片较使用单一种类半导体之芯
片所需电流为低。应用于多种利用电池提供电力的装置，如便携计算机，其中亦具
有一利用电池提供电力之互补型金氧半导体储存内部数据、时间与设定参数。
COB（chip-on-board）/芯片直接构装：将裸晶直接黏在有机多层基板与其他表
面固定式集成电路组件上方。
Coplanarity/共平面性：当进行表面测量时，晶圆、基板或构装体上最高与最
低点间之距离。覆晶结构之共平面性一般指其最低予最高凸块间之高度差。
CPLD（complex programmable logic device IC）/复杂可程序化逻辑组件
C-SAM（c-mode scanning acoustic microscopy）/扫描式声波显微镜
CSP-C（CSP ceramic）/陶瓷芯片尺寸构装
CSP-L（CSP laminate）/层状芯片尺寸构装
CTE（coefficient of thermal expansion）/热膨胀系数：为每温度变化下之材料
变
形。该物理意义为单位温度变化下之材料尺寸变化。
【D】
Daughter card/子板：任何可与其他机板相接之电路板。
评论0