元器件应用中的肖特基二极管(元器件应用中的肖特基二极管(SBD))
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒
(barrier)整流作用,这个接触面称为“金属半导体结”,其全名应为肖特基势垒二极管,简称为肖特基二极管。
现有肖特基二极管大多数是用硅(Si)半导体材料制作的。20世纪90年代以来,出现了用砷化镓(GaAs)制作
SBD。Si-SBD的特点是:正向压降PN结二极管的UDF低,仅为后者的1/2~1/3;trr约为10 ns数量级;适用于
低电压(小于50 V)的功率电子电路中(当电路电压高于100 V以上时,则要选用PIV高的SBD,其正向电阻将
增大许多)。此外,SBD是根据漂移现象产生电流的,不会积累,
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒(barrier)整
流作用,这个接触面称为“金属半导体结”,其全名应为肖特基势垒二极管,简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是
用硅(Si)半导体材料制作的。20世纪90年代以来,出现了用砷化镓(GaAs)制作SBD。Si-SBD的特点是:正向压降PN结
二极管的UDF低,仅为后者的1/2~1/3;trr约为10 ns数量级;适用于低电压(小于50 V)的功率电子电路中(当电路电压高
于100 V以上时,则要选用PIV高的SBD,其正向电阻将增大许多)。此外,SBD是根据漂移现象产生电流的,不会积累,也
无须移去多余的载流子,因此也就不存在正向恢复或反向恢复现象。这就是SBD的莎Ⅱ很小的缘故。输出电压为4~5V的开关
转换可以选用PIV为25 V或45 V的Si-SBD。例如1N6492、lN639l、1N6392等。SBD的缺点是:反向漏电流比普通二极管大
得多,如图1所示的二极管伏安特性比较。这是因为Si-SBD的结电容较大的缘故,如USD45型Si-SBD的结电容约为4700
pF,而UFRD的结电容仅为5~150 pF,GaAs-SBD的结电容也只有100~500 pF。
图1 二极管伏安特性的比较
有关各种快速开关二极管的参数见表1~表3c。
表1 几种典型功率二极管的主要参数
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