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MOS管启动电阻计算.pdf
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更新于2023-03-16
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实际使用中还要考虑 MOSFET 栅漏极还有 个电容 Cgd 的影响,MOSFET ON 时 Rg 还要对 Cgd 充电,会改变电压上升斜率,OFF 时 VCC 会通过 Cgd 向 Cgs 充电,此时必须保证 Cgs 上 的电荷快速放掉,否则会导致 MOSFET 的异常 导通。
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关于 MOSFET 驱动电阻的选择
等效驱动电路:
1 2 3 4 5 6
A
B
C
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654321
D
C
B
A
Title
Number RevisionSize
B
Date: 31-Aug-2007 Sheet of
File: E:\work\TEMP\仿真\仿真\仿真.Ddb Drawn By :
Q
L
Rg
Cgs
DRIVE
VCC
12V
L 为 PCB 走线电感,根据他人经验其值为直走线 1nH/mm,考虑其他走线因素,取
L=Length+10(nH),其中 Length 单位取 mm。
Rg 为栅极驱动电阻,设驱动信号为 12V 峰值的方波。
Cgs 为 MOSFET 栅源极电容,不同的管子及不同的驱动电压时会不一样,这儿取 1nF。
VL+VRg+VCgs=12V
令驱动电流
:= Id C
t
( )VCgs t
得到关于 Cgs 上的驱动电压微分方程:
L C
2
t
2
( )VCgs t C
t
( )VCgs t R ( )VCgs t Vdr 0
用拉普拉斯变换得到变换函数:
:= G
Vdr
L C S
S
2
1
L C
Rg S
L
这是个 3 阶系统,当其极点为 3 个不同实根时是个过阻尼震荡,有两个相同实根时是
临界阻尼震荡,当有虚根时是欠阻尼震荡,此时会在 MOSFET 栅极产生上下震荡的波形,
这是我们不希望看到的,因此栅极电阻 Rg 阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状
态,考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。
根据以上得到
2
L C
C
Rg
,因此根据走线长度可以得到 Rg 最小取值范围。
分别考虑 20m 长 m 和 70mm 长的走线: L20=30nH,L70=80nH, 则 Rg20=8.94Ω,
Rg70=17.89Ω,
以下分别是电压电流波形:

















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