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1
《精通开关电源设计》笔记
三种基础拓扑(buck boost buck-boost)的电路基础:
1, 电感的电压公式
dt
dI
LV = =
T
I
L
∆
∆
,推出ΔI=V×ΔT/L
2, sw 闭合时,电感通电电压 V
ON
,闭合时间 t
ON
sw 关断时,电感电压 V
OFF
,关断时间
t
OFF
3, 功率变换器稳定工作的条件:Δ I
ON
=ΔI
OFF
即,电感在导通和关断时,其电流变化相等。
那么由 1,2 的公式可知,V
ON
=L×ΔI
ON
/Δt
ON
,V
OFF
=L×ΔI
OFF
/Δt
OFF
,则稳定
条件为伏秒定律:V
ON
×t
ON
=V
OFF
×t
OFF
4, 周期 T,频率 f,T=1/f,占空比 D=t
ON
/T=t
ON
/(t
ON
+t
OFF
)→t
ON
=D/f =TD
→t
OFF
=(1-D)/f
电流纹波率 r P51 52
r=ΔI/ I
L
=2I
AC
/I
DC
对应最大负载电流值和最恶劣输入电压值
ΔI=E
t
/Lμ
H
E
t
=V×ΔT(时间为微秒)为伏微秒数,Lμ
H
为微亨电感,单位便于计算
r=E
t
/( I
L
×Lμ
H
)→I
L
× Lμ
H
=E
t
/r→Lμ
H
=E
t
/(r* I
L
)都是由电感的电压公式推导出来
r 选值一般 0.4 比较合适,具体见 P53
电流纹波率 r=ΔI/ I
L
=2I
AC
/I
DC
在临界导通模式下,I
AC
=I
DC
,此时 r=2 见 P51
r=ΔI/ I
L
=V
ON
×D/Lf I
L
=V
O
FF
×(1-D)/Lf I
L
→L=V
ON
×D/rf I
L
电感量公式:L=V
O
FF
×(1-D)/rf I
L
=V
ON
×D/rf I
L
设置 r 应注意几个方面:
A,I
PK
=(1+r/2)×I
L
≤开关管的最小电流,此时 r 的值小于 0.4,造成电感体积很大。
B,保证负载电流下降时,工作在连续导通方式 P24-26,
最大负载电流时 r’=ΔI/ I
LMAX
,当 r=2 时进入临界导通模式,此时 r=ΔI/ I
x
=2→
负载电流 I
x
=(r’ /2)I
LMAX
时,进入临界导通模式,例如:最大负载电流 3A,r’=0.4,则负
载电流为(0.4/2)×3=0.6A 时,进入临界导通模式
避免进入临界导通模式的方法有 1,减小负载电流 2,减小电感(会减小ΔI,则减小 r)3,
增加输入电压 P63
电感的能量处理能力 1/2×L×I
2
电感的能量处理能力用峰值电流计算 1/2×L×I
2
PK
,避免磁饱和。
确定几个值:r 要考虑最小负载时的 r 值 负载电流 I
L
I
PK
输入电压范围 V
IN
输
出电压 V
O
最终确认 L 的值
基本磁学原理:P71――以后花时间慢慢看《电磁场与电磁波》用于 EMC 和变压器
H 场:也称磁场强度,场强,磁化力,叠加场等。单位 A/m
B 场:磁通密度或磁感应。单位是特斯拉(T)或韦伯每平方米 Wb/m
2
恒定电流 I 的导线,每一线元 dl 在点 p 所产生的磁通密度为 dB=k×I×dl×a
R
/R
2
dB 为磁通密度,dl 为电流方向的导线线元,a
R
为由 dl 指向点 p 的单位矢量,距离矢量
为 R,R 为从电流元 dl 到点 p 的距离,k 为比例常数。
在 SI 单位制中 k=μ
0
/4
π
,μ
0
=4
π
×10
-7
H/m 为真空的磁导率。

2
则代入 k 后,dB=μ
0
×I×dl×R/4
π
R
3
对其积分可得 B=
34
0
R
C
RIdl
×
∫
π
µ
磁通量:通过一个表面上 B 的总量 Φ=
∫
•
S
B ds ,如果 B 是常数,则Φ=BA,A 是表
面积
H=B/μ→B=μH,μ是材料的磁导率。空气磁导率μ
0
=4
π
×10
-7
H/m
法拉第定律(楞次定律):电感电压 V 与线圈匝数 N 成正比与磁通量变化率
V=N×dΦ/dt=NA×dB/dt
线圈的电感量:通过线圈的磁通量相对于通过它的电流的比值 L=H*NΦ/I
磁通量Φ与匝数 N 成正比,所以电感量 L 与匝数 N 的平方成正比。这个比例常数叫电感常数,
用 A
L
表示,它的单位是 nH/匝数
2
(有时也用 nH/1000 匝数
2
)L=A
L
*N
2
*10
-9
H
所以增加线圈匝数会急剧增加电感量
若 H 是一闭合回路,可得该闭合回路包围的电流总量
∫
Hdl=IA,安培环路定律
结合楞次定律和电感等式
dt
dI
LV = 可得到
V=N×dΦ/dt=NA×dB/dt=L×dI/dt
可得功率变换器 2 个关键方程:
ΔB=LΔI/NA 非独立电压方程 →B=LI/NA
ΔB=VΔt/NA 独立电压方程 →B
AC
=ΔB/2=V
ON
×D/2NAf 见 P72-73
N 表示线圈匝数,A 表示磁心实际几何面积(通常指中心柱或磁心资料给出的有效面积 Ae)
B
PK
=LI
PK
/NA 不能超过磁心的饱和磁通密度
由公式知道,大的电感量,需要大的体积,否则只增加匝数不增加体积会让磁心饱和
磁场纹波率对应电流纹波率 r
r=2I
AC
/I
DC
=2B
AC
/B
DC
B
PK
=(1+r/2)B
DC
→B
DC
=2B
PK
/(r+2)
B
PK
=(1+2/r)B
AC
→B
AC
=r B
PK
/(r+2)→ΔB=2 B
AC
=2r B
PK
/(r+2)
磁心损耗,决定于磁通密度摆幅ΔB,开关频率和温度
磁心损耗=单位体积损耗×体积,具体见 P75-76

3
Buck 电路
5
,
电容的输入输出平均电流为 0,在整个周期内电感平均电流=负载平均电流,所以有:
I
L
=I
o
6, 二极管只在 sw 关断时流过电流,所以 I
D
=I
L
×(1-D)
7, 则平均开关电流 I
sw
=I
L
×D
8, 由基尔霍夫电压定律知:
Sw 导通时:V
IN
=V
ON
+V
O
+V
SW
→ V
ON
=V
IN
-V
O
-V
SW
≈V
IN
-V
O
假设 V
SW
相比足够小
V
O
=V
IN
-V
ON
-V
SW
≈V
IN
-V
ON
Sw 关断时:V
OFF
=V
O
+V
D
→ V
O
=V
OFF
-V
D
≈V
OFF
假设V
D
相比足够小
9, 由 3、4 可得 D=t
ON
/(t
ON
+t
OFF
)
=V
OFF
/(V
OFF
+V
ON
)
由 8 可得:D=V
O
/{(V
IN
-V
O
)+V
O
}
D=V
O
/ V
IN
10,直流电流 I
DC
=电感平均电流 I
L
,即 I
DC
≡I
L
=I
o
见 5
11,纹波电流 I
AC
=ΔI/2=V
IN
(1-D)D/ 2Lf=V
O
(1-D)/2Lf
由 1,3、4、9 得,
ΔI=V
ON
×t
ON
/L
=(V
IN
-V
O
)×D/Lf=(V
IN
-DV
IN
)×D/Lf=V
IN
(1-D)D/ Lf
ΔI/ t
ON
=V
ON
/L=(V
IN
-V
O
)/L
ΔI=V
OFF
×t
OFF
/L
=V
O
T(1-D)/L
=V
O
(1-D)/Lf
ΔI/ t
OFF
=V
OFF
/L=V
O
/L
12,电流纹波率 r=ΔI/ I
L
=2I
AC
/I
DC
在临界导通模式下,I
AC
=I
DC
,此时 r=2 见 P51
r=ΔI/ I
L
=V
ON
×D/Lf I
L
=(V
IN
-V
O
)×D/Lf I
L
=V
O
FF
×(1-D)/Lf I
L
=V
O
×(1-D)/Lf I
L
13,峰峰电流 I
PP
=ΔI=2I
AC
=r×I
DC
=r×I
L
14,峰值电流 I
PK
=I
DC
+I
AC
=(1+r/2)×I
DC
=(1+r/2)×I
L
=(1+r/2)×I
O
最恶劣输入电压的确定:
V
O
、I
o
不变,V
IN
对 I
PK
的影响:
D=V
O
/ V
IN
V
IN
增加↑→D↓→ΔI↑, I
DC
=I
O
,不变,所以 I
PK
↑
要在 V
IN
最大输入电压时设计 buck 电路 p49-51
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