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EZ-USB FX2LP usb参考手册(中文版)CY7C-
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更新于2023-03-16
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CY7C68013A、CY7C68014A、CY7C68015A、CY7C68016A、CY7C64713 Cypress、PSoC
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第1章 USB
1.1 随机存取存储器(RAM)
存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置
无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时
间使用的程序。按照存储单元的工作原理,随机存储器又分为静态随机存储器
( 英 文 : Static RAM , SRAM) 和 动 态 随 机 存 储 器 ( 英 文 Dynamic
RAM,DRAM)。
1.2 RAM 的一般结构
行、列地址译码器:它是一个二进制译码器,将地址码翻译成行列对应的
具体地址,然后去选通该地址的存储单元,对该单元中的信息进行读出操作或
进 行 写 入 新 的 信 息 操 作 。 例 如 : 一 个 10 位 的 地 址 码
A4A3A2A1A0=00101,B4B3B2B1B0=00011 时,则将对应于第 5 行第 3 列的存
储单元被选中。
存储体:它是存放大量二进制信息的“仓库”,该仓库由成千上万个存储单
元组成。而每个存储单元存放着一个二进制字信息,二进制字可能是一位的,

也可能多位。由触发器排列而成,每个触发器能存储一位数据 (0 或 1)。通常将
每一组存储单元编为一个地址,存放一个“字”;每个字的位数等于这一组单元
的数目。存储器的容量以“字数×位数”表示。地址译码器将每个输入的地址代码
译成高(或低)电平信号,从存储矩阵中选中一组单元,使之与读写控制电路接
通。在读写控制信号的配合下,将数据读出或写入。存储体或 RAM 的容量:
存储单元的个数*每个存储单元中数据的位数。
例如,一个 10 位地址的 RAM,共有 210 个存储单元,若每个存储单元存
放一位二进制信息,则该 RAM 的容量就是 210(字)×1(位)=1024 字位,通常称
1K 字位(容量)。表示法,用 210 数位组代表 KB。。即 1KB 就是 210 字节。
MB=220,GB=230
I/O 及读/写控制电路:该部分电路决定着存储器是进行读出信息操作还是
写入新信息操作。输入/输出缓冲器起数据的锁存作用,通常采用三态输出的电
路结构。因此,RAM 可以与其它的外面电路相连接,实现信息的双向传输(即
可输入,也可输出),使信息的交换和传递十分方便。
1.2.1 RAM 读写:时序
访问某地址单元的地址码有效,假如你想去访问的具体地址:如 A9~
A0=0D3H=0011010011B,片选有效 CS=0,选中该片 RAM 为工作状态。读/写
操作有效:WE=1,读出信息;WE=0,写入信息;

1.2.2 特点
随机存取
所谓“随机存取”,指的是当存储器中的数据被读取或写入时,所需要的时
间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的,读取或写入顺序访问
(SequentialAccess)存储设备中的信息时,其所需要的时间与位置就会有关系。
易失性
当电源关闭时 RAM 不能保留数据。如果需要保存数据,就必须把它们写
入一个长期的存储设备中(例如硬盘)。RAM 和 ROM 相比,两者的最大区别
是 RAM 在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而 ROM 不会自动消失,可
以长时间断电保存
需要刷新(再生)
现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表 1(二进
制),未充电的代表 0。由于电容器或多或少有漏电的情形,若不作特别处理,
数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态,然后按照原来的状
态重新为电容器充电,弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储
器的易失性。

计算机的内存指的是动态内存(即 DRAM),动态内存中所谓的“动态”,
指的是当我们将数据写入 DRAM 后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一
个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的:一个 DRAM 的存
储单元存储的是 0 还是 1 取决于电容是否有电荷,有电荷代表 1,无电荷代表
0。但时间一长,代表 1 的电容会放电,代表 0 的电容会吸收电荷,这就是数据
丢失的原因。刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的 1/2,则认为
其代表 1,并把电容充满电;若电量小于 1/2,则认为其代表 0,并把电容放电,
藉此来保持数据的连续性。
1.2.3 类别
根据存储单元的工作原理不同,RAM 分为静态 RAM 和动态 RAM。
静态随机存储器(SRAM)
静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此,它是
靠触发器的自保功能存储数据的。
动态随机存储器(DRAM)
动态 RAM 的存储矩阵由动态 MOS 存储单元组成。动态 MOS 存储单元利
用 MOS 管的栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不
可能绝对等于 0,所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失,必须
定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”,因此
DRAM 内部要有刷新控制电路,其操作也比静态 RAM 复杂。尽管如此,由于
DRAM 存储单元的结构能做得非常简单,所用元件少,功耗低,已成为大容量
RAM 的主流产品。

1.3 开发套件
1.3.1 Drivers
此文件夹包含各种 Windows 操作系统版本的驱动程序版本。
1.3.2 Target
包含 FX2LP 固件文件,例如 include 文件、Cypress 库和构建 FX2LP 应用程
序的固件框架。它还包括凯尔监控代码,可以加载到 FX2LP 基尔 µVision2 调试
代码使用 IDE 和 PC 串口(UART)。
1.4 USB 简介
1.4.1 USB 拓扑结构的构成
< 主从模式,主机叫 Host,从机叫 Device(也叫作设备)。
标准的 USB 连接线使用 4 芯电缆:5 V 电源线(VBus)、差分数据线负(D-)、
差分数据线正(D+ )及地(GND)。在 USB OTG 中,又增加了一种 MINI USB 接头,
使用的是 5 条线,比标准的 USB 多了一条身份识别(ID)线。USB 使用的是差分
传输模式,因而有 2 条数据线,分别是 D+和 D-。在 USB 的低速和全速模式中,采
用的是电压传输模式。而在高速模式下,则是电流传输模式。关于具体的各种
电气参数,请参看 USB 协议。
USB2.0 支持 3 种传输速度:低速模式(1.5 Mb/s)、全速模式(12 Mb/s)以及高
速模式(480 Mb/s)。传输速度是指总线上每秒传输的位数,实际的数据速率要比
这个速度低一些,因为有很多协议开销,例如同步、令牌、校验、位填充和包间
隙等。
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