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较为详细地介绍MOS管工作原理
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更新于2023-05-26
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第三章 场效应管放大器
绝缘栅场效应管
结型场效应管
3.2 场效应管放大电路
效应管放大器的静态偏置
效应管放大器的交流小信号模型
效应管放大电路
3.1 场效应管

3.1 场效应管
BJT 是一种电流控制元件 (i
B
~ i
C
) ,工作时,多数载流子和少
数载流子都参与运行,所以被称为双极型器件。
场效应管( Field Effect Transistor 简称 FET )是一种电压
控制器件 (u
GS
~ i
D
) ,工作时,只有一种载流子参与导电,因此它
是单极型器件。
FET 因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输入电阻极
高等优点,得到了广泛应用。
FET 分类:
绝缘栅场效应管
结型场效应管
增强型
耗尽型
N 沟道
P 沟道
N 沟道
P 沟道
N 沟道
P 沟道

一 . 绝缘栅场效应管
绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FE
T) ,简称 MOSFET 。分为:
增强型 N 沟道、 P 沟道
耗尽型 N 沟道、 P 沟道
1.N 沟道增强型 MOS 管
( 1 )结构
4 个电极:漏极 D ,
源极 S ,栅极 G 和 衬底 B
。
-
-
-
-
g
s
d
b
符号:
-
-
-
-
N
+ +
N
P³Äµ×
s
g d
b
Ô´¼« Õ¤¼« ©¼«
³Äµ×

当 u
GS
> 0V 时→纵向电场
→ 将靠近栅极下方的空穴向下
排斥→耗尽层。
( 2 )工作原理
当 u
GS
=0V 时,漏源之间相当两个背靠背的 二极管,
在 d 、 s 之间加上电压也不会形成电流,即管子截止。
再增加 u
GS
→ 纵向电场↑
→ 将 P 区少子电子聚集到
P 区表面→形成导电沟道,
如果此时加有漏源电压,
就可以形成漏极电流 i
d
。
① 栅源电压 u
GS
的控制作用
-
-
-
P³Äµ×
s
g
N
+
b
d
V
DD
二氧化硅
+
N
-
-
-
s
二氧化硅
P³Äµ×
g
DD
V
+
N
d
+
b
N
V
GG
i
d

定义:
开启电压( U
T
)——刚刚产生沟道所需的
栅源电压 U
GS
。
N 沟道增强型 MOS 管的基本特性:
u
GS
< U
T
,管子截止,
u
GS
> U
T
,管子导通。
u
GS
越大,沟道越宽,在相同的漏源电压 u
DS
作
用下,漏极电流 I
D
越大。
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