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3d-rram 存储技术

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27页

NAND闪存在25nm工艺之后出现了严重的性能下滑、寿命缩短问题，RRAM则可以一路走到5nm甚至更远。

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资源推荐

3D Vertical RRAM

Henry (Hong-Yu) Chen, H.-S. Philip Wong

hongyuc@stanford.edu

Stanford University, CA, USA

Collaborator: Peking University, China

Flash Memory Summit 2013

Santa Clara, CA 1

What is RRAM?

Flash Memory Summit 2013

Santa Clara, CA 2

 “0” : High Resistance State (HRS)

 “1” : Low Resistance State (LRS)

 HRS



LRS: SET

 LRS



HRS: RESET

Why 3D Architecture in RRAM?

FLASH RRAM

cell area (F

) <4 if 3D <4 if 3D

multi-bit 3 3

scalability <20nm <10nm

RRAM has showed excellent

single-cell performance.

Flash Memory Summit 2013

Santa Clara, CA 3

voltage >20V <3V

speed ~10µs <10ns

energy/bit ~100pJ ~0.1pJ

endurance <1E5 1E6-1E12

retention >10years >10years

3D NAND by Samsung, VLSIT, 2009

3D NAND by Toshiba , VLSIT, 2009

A technology path toward 3D

integration is needed in RRAM.

Bit-Cost Effective 3D Integration

Horizontal RRAM

Estimated Cost

Horizontal

RRAM

V.S.

Flash Memory Summit 2013

Santa Clara, CA 4

I. G. Baek, et al., IEDM, 2011 (Samsung)

Vertical

RRAM

DPT : Double Patterning Technology

V.S.

Various 3D VRRAM Architectures

I. G. Baek, et al., IEDM, 2009 & 2011(Samsung)

Flash Memory Summit 2013

Santa Clara, CA 5

W.-C. Chien , et al., VLSI, 2012(Macronix)

L. Zhang, et al., IMW, 2013(IMEC)

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堆叠式3D NAND芯片将在未来四年内成为闪存芯片市场上的主流方案。根据分析企业IHS的推测，这项新技术的出现将令当下闪存制造商们所大肆宣扬的芯片尺寸压缩方案变得黯然失色，并在未来成为削减产品尺寸、扩大产品容量的首先机制...

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Java SSM项目是一种使用Java语言和SSM框架（Spring + Spring MVC + MyBatis）开发的Web应用程序。SSM是一种常用的Java开发框架组合，它结合了Spring框架、Spring MVC框架和MyBatis框架的优点，能够快速构建可靠、高效的企业级应用。 1. Spring框架：Spring是一个轻量级的Java开发框架，提供了丰富的功能和模块，用于开发企业级应用。它包括IoC（Inverse of Control，控制反转）容器、AOP（Aspect-Oriented Programming，面向切面编程）等特性，可以简化开发过程、提高代码的可维护性和可测试性。 2. Spring MVC框架：Spring MVC是基于Spring框架的Web框架，用于开发Web应用程序。它采用MVC（Model-View-Controller，模型-视图-控制器）的架构模式，将应用程序分为模型层、视图层和控制器层，提供了处理请求、渲染视图和管理流程的功能。 3. MyBatis框架：MyBatis是一个持久层框架，用于与数据库进行交互。它提供了一种将数据库操作与Java对象映射起来的方式，避免了手动编写繁琐的SQL语句，并提供了事务管理和缓存等功能，简化了数据库访问的过程

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