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首页内存总结(RAM、ROM和FLASH存储的区别) .docx
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本文主要向大家介绍了内存(RAM 或 ROM)和 FLASH 存储的真正区别,通过具体的分析,让大
家能够了解它们,希望对大家学习内存(RAM 或 ROM)和 FLASH 存储有所帮助。
1.什么是内存
什么是内存呢?在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器。存储器是用
来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作。
存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内
存),辅助存储器又称外存储器(简称外存)。外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,
磁带,CD 等,能长期保存信息,并且不依赖于电来保存信息,但是由机械部件带动,速度与
CPU 相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件,是 CPU 直接与之沟通,并用其存
储数据的部件,存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,它的物理实质就是一组或多
组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路,内存只用于暂时存放程序和数据,一旦关闭
电源或发生断电,其中的程序和数据就会丢失。
2.内存工作原理:
内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存
指的是动态内存(即 DRAM),动态内存中所谓的'动态',指的是当我们将数据写入 DRAM 后,
经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的:一个 DRAM 的存储单元存储的是 0 还是 1 取决于电容是否有电荷,
有电荷代表 1,无电荷代表 0。但时间一长,代表 1 的电容会放电,代表 0 的电容会吸收电荷,
这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的 1/2,则认为其
代表 1,并把电容充满电;若电量小于 1/2,则认为其代表 0,并把电容放电,藉此来保持数
据的连续性。Ý
ROM 也有很多种,PROM 是可编程的 ROM,PROM 和 EPROM(可擦除可编程 ROM)两者
区别是,PROM 是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已
经不可能使用了,而 EPROM 是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另
外一种 EEPROM 是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。
从一有计算机开始,就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进,从最早的 DRAM
一直到 FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM 等,内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。
3.ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器
1)ROM 是 Read Only Memory 的缩写
是一种半导体内存,其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常
变更资料的电子或电脑系统中,资料并且不会因为电源关闭而消失。
只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。英文简称 ROM。ROM 所存数据,一般是装
入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出,而不像随机存储器那样能快速地、方便地加
以改写。ROM 所存数据稳定Ý,断电后所存数据也不会改变;其结构较简单,读出较方便,因

而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器(如字符发生器)可以通用之外,
不同用户所需只读存储器的内容不同。
为便于使Ý用和大批Ý量Ý生产Ý,进一步发展了可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程序
只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。EPROM 需用紫外光长时
间照射才能擦除,使用很不方便。20 世纪Ý80 年代制出的ÝEEPROM ,克服了 EPROM 的不足,
但集成度不高Ý,价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构同ÝEPROM 相似的快闪存储
器Ý。其集成度高、功耗低Ý、体积小Ý,又能在线快速擦除Ý,因而获得飞速发展,并有可能取代
现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体
(MOS)场效应管制成。
2)RAM 是 Random Access Memory 的缩写。
又称为随机存取存储器;存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元
的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的
程序。
简单地说,在计算机中,RAM 、ROM 都是数据存储器。RAM 是随机存取存储器,它的特点
是易挥发性,即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(一次写入,反复读取),它的特点与 RAM
相反。ROM 又分一次性固化、光擦除和电擦除重写两种类型。Ý
ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据,
典型的 RAM 就是计算机的内存。Ý
4.RAM 分为两大类:
1)一种称为静态 RAM(Static RAM/SRAM),SRAM 速度非常快,是目前读写最快的存储
设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如 CPU 的一级缓冲,二级缓
冲。
2)另一种称为动态 RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM 保留数据的时间很短,速度也
比 SRAM 慢,不过它还是比任何的 ROM 都要快,但从价格上来说 DRAM 相比 SRAM 要便宜
很多,计算机内存就是 DRAM 的。Ý
DRAM 分为很多种,常见的主要有 FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR
RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等,这里介绍其中的一种 DDR RAM。
DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作 DDR SDRAM,这种改进型的 RAM 和 SDRAM 是基本
一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这
是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了 Intel 的另外一种内存标
准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速 DDR RAM 来提高带宽,这可以

大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能力。Ý
5.再不明白的请看例子:
举个例子,手机软件一般放在 EEPROM 中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在
SRAM 中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在 EEPROM 中),因为当时有很重要工
作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。
FLASH 存储器又称闪存,它结合了 ROM 和 RAM 的长处,不仅具备电子可擦除可编程
(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM 的优势),U 盘
和 MP3 里用的就是这种存储器。在过去的 20 年里,嵌入式系统一直使用 ROM(EPROM)作
为它们的存储设备,然而近年来 Flash 全面代替了 ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,
用作存储 Bootloader 以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U 盘)。Ý
目前 Flash 主要有两种 NOR Flash 和 NADN Flash。
NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样,用户可以直接运行装载在 NOR
FLASH 里面的代码,这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。
NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通
常是一次读取 512 个字节,采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户不能直接运行 NAND Flash
上的代码,因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外,还作上了一块小
的 NOR Flash 来运行启动代码。Ý
一般小容量的用 NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量
的用 NAND FLASH,最常见的 NAND FLASH 应用是嵌入式系统采用的 DOC(Disk On
Chip)和我们通常用的'闪盘',可以在线擦除。目前市面上的 FLASH 主要来自
Intel,AMD,Fujitsu 和 Toshiba,而生产 NAND Flash 的主要厂家有 Samsung 和
Toshiba。
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线----------------------------------------------------------------------------------------
问题 1:什么是 DRAM、SRAM、SDRAM?
答:名词解释如下
DRAM--------动态随即存取器,需要不断的刷新,才能保存数据,而且是行列地址复用的,许
多都有页模式
SRAM--------静态的随机存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且一般不是行
列地址复用的
SDRAM-------同步的 DRAM,即数据的读写需要时钟来同步
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