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肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构.其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下.从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级.前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下. 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合. 这两种管子通常用于开关电源.
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肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us 以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用 PN 结型结构,
有的采用改进的 PIN 结构.其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在 1200V 以下.从性能上可分为快恢复和
超快恢复两个等级.前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在 100 纳秒以下.
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具
有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40 纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于 150V,多用于低
电压场合.
这两种管子通常用于开关电源.
肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!
前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前
快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
肖特基二极管:反向耐压值较低 40V-50V,通态压降 0.3-0.6V,小于 10nS 的反向恢复时间.它是具有肖特基特性的“金
属半导体结”的二极管.其正向起始电压较低.其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料.其半导体材料
采用硅或砷化镓,多为 N 型半导体.这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的
PN 结大得多.由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为 RC 时间常数限制,因而,它是高
频和快速开关的理想器件.其工作频率可达 100GHz.并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太
阳能电池或发光二极管.
快恢复二极管:有 0.8-1.1V 的正向导通压降,35-85nS 的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使
用频率并改善了波形.快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能
得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
可关断晶闸管 GTO(Gate Turn-Off Thyristor)亦称门控晶闸管.其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自
行关断.
前已述及,普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态.欲使之关断,必须切断电源,使正向电流
低于维持电流 IH,或施以反向电压强近关断.这就需要增加换向电路,不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,
产生波形失真和噪声.可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断
能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件.GTO 的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺
比 GTR 低.目前,GTO 已达到 3000A、4500V 的容量.大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变
电源等领域,显示出强大的生命力.
可关断晶闸管也属于 PNPN 四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图 1 仅绘出 GTO 典型产品的
外形及符号.大功率 GTO 大都制成模块形式.
尽管 GTO 与 SCR 的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同.这是由于普通晶闸管在导通之后
即外于深度饱和状态,而 GTO 在导通后只能达到临界饱和,所以 GTO 门极上加负向触发信号即可关断.GTO 的一
个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极最大可关断电流 IATM 与门极最大负向电流 IGM 之比,有公式
βoff =IATM/IGM
βoff 一般为几倍至几十倍.βoff 值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强.很显然,βoff 与昌盛 的 hFE 参数
颇有相似之处.













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