类别
Type
测试项目
Test Item
目的
Purpose
参考标准
REF.Standard
测试条件
Test Condition
持续时间
Duration
失效机制
Invalidation Mechanism
备注
Remarks
高温储存
High Temperature Storage
评估IC产品在实际使用之前在高温条
件下保持几年不工作条件下的生命时
间
JESD22-A103
EIAJED-4701-200
Ta=85
℃±5℃
1000Hrs
化学和扩散效应，Au‐Al共金效应
低温储存
Low Temperature Storage
评估IC产品在实际使用之前在低温条
件下保持几年不工作条件下的生命时
间
JESD22-A119
EIAJED-4701-200
Ta=-40
℃±5℃
1000Hrs
材料变脆，产品表面发生开裂、韧性
下降
温度循环
Temperature Cycle
评估IC产品中具有不同热膨胀系数的
金属之间的界面的接触良率
JESD22-A104
EIAJED-4701-100
-40℃～85℃
200cycles
电介质的断裂、导体和绝缘体的断裂
、不同界面的分层
冷热冲击
Thermal Shock
评估IC产品中具有不同热膨胀系数的
金属之间的界面的接触良率
JESD22-A106
EIAJED-4701B-141
’-40℃～85℃
30min～30min
100cycles
电介质的断裂、材料的老化（如bond
wires）导体机械变形
湿热循环
Damp Heat Cycle
评估IC产品在湿热变化环境下的耐久
性
JESD22-A100 ‘-40℃～85℃，RH=85% 10cycle
封装外壳膨胀、开裂，产品电特性改
变
高压蒸煮试验
Pressure Cook Test
评估IC产品在高温、高湿、高气压条
件下对湿气的抵抗能力
JESD22-A102
EIAJED-4701B-123
Ta=85℃、RH=85%、2atm
168Hrs 化学金属腐蚀，封装密封性
早夭测试（早期寿命测试）
Infant Mortality Test
评估工艺的稳定性，加速缺陷失效
率，去除由于天生原因失效的产品
JESD74A
Ta=85℃、1.1Vcc
48Hrs
材料或工艺的缺陷。包括诸如氧化层
缺陷、金属刻镀、离子玷污等由于生
产造成的失效
高温工作寿命
High Temperature Operating Life
评估器件在超热和超电压情况下一段
时间的耐久力
JESD22-A108
EIAJED-4701-101
Ta=85℃、1.1Vcc
1000Hrs
电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，
不稳定性，离子玷污等
高温高湿寿命测试
High humidity Heat life test
评估IC产品在高温、高湿条件下对湿
气的抵抗能力
JESD22-A101
Ta=85℃、RH=85%、If
1000Hrs 电解腐蚀
恒定加速度试验
Constant Acceleration Test
评估IC产品承受恒定加速的能力 GJB548B-2005 2001
X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2方向各
施加1min的恒定加速度，a=5000g
～125000g（常规30000g）
6min
结构强度和机械缺陷（芯片脱落、内
引线开路、管壳变形、漏气等）
X：IC芯片脱出方向；Y：芯片压紧方
向；Z：与XY平面垂直的方向
机械冲击试验
Mechanical Impact Test
评估IC产品承受机械冲击的能力 GJB548B-2005 2002
X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2方向分
别施加半正弦波冲击脉冲，脉冲
持续时间：0.1ms～1ms，a=500g
～30000g(常规：0.5ms，1500g)
5cycles of each X1、X2、Y1、
Y2、Z1、Z2
跌落、碰撞等突发机械应力所致芯片
脱落、内引线开路、管壳变形、漏气
等
机械振动试验（扫频振动）
Mechanical Vibration Test
评估IC产品在振动条件下的结构牢固
性和电特性的稳定性
GJB548B-2005 2007
峰值加速度a=20g，f=20Hz～
2000Hz～20Hz（单次单轴向大约
4min）
4cycles of each X、Y、Z，共
48min
结构强度和机械缺陷（芯片脱落、内
引线开路、管壳变形、漏气等）
破坏性试验
粒子碰撞噪声检测试验
Particle Impact Noise Detection
检测IC产品封装腔体内是否存在可动
多余物
GJB548B-2005 2020
冲击脉冲：峰值加速度(9800±
1960)m/s
2
、延续时间不超过
100us
振动波形：频率为40Hz～250Hz、
峰值加速度为196m/s
2
1、试验前冲击3次
2、振动3s±1s
3、与上条振动同时进行3次冲击
4、振动3s±1s
5、与上条振动同时进行3次冲击
6、振动3s±1s
7、与上条振动同时进行3次冲击
8、振动3s±1s
内部短路、异常噪声
工业级芯片可靠性试验项目&条件
环
境
试
验
寿
命
试
验
机
械
试
验
千里沽山
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