电源设计经验之MOS管驱动电路篇.pdf_mos驱动电阻大小影响 - CSDN文库

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电源设计经验之

MOS

管驱动电路篇

MOSFET 因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET 的驱动常

根据电源 IC 和 MOSFET 的参数选择合适的电路。下面一起探讨 MOSFET 用于开关电源的驱动

电路。

在使用 MOSFET 设计开关电源时，大部分人都会考虑 MOSFET 的导通电阻、最大电压、最

大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个

好的设计方案。更细致的，MOSFET 还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的 MOSFET，其驱

动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响 MOSFET 的开关性能。

当电源 IC 与 MOS 管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源 IC 与 MOS 管就显得尤其

重要了。

一个好的 MOSFET 驱动电路有以下几点要求：

（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使 MOSFET 栅源极间电

压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

（2）开关导通期间驱动电路能保证 MOSFET 栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

（3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供 MOSFET 栅源极间电容电

压的快速泄放，保证开关管能快速关断。

（4）驱动电路结构简单可靠、损耗小。

（5）根据情况施加隔离。

下面介绍几个模块电源中常用的 MOSFET 驱动电路。

1、电源 IC 直接驱动 MOSFET

图 1 IC 直接驱动 MOSFET

电源 IC 直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱

动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一，查看一下电源 IC 手册，其最大驱

动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。第二，了解一下 MOSFET 的寄

生电容，如图 1 中 C1、C2 的值。如果 C1、C2 的值比较大，MOS 管导通的需要的能量就比较

大，如果电源 IC 没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能

力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图 1 中 Rg 减小，也不能解决问题！IC 驱动能力、

MOS 寄生电容大小、MOS 管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以 Rg 并不能无

限减小。

2、电源 IC 驱动能力不足时

如果选择 MOS 管寄生电容比较大，电源 IC 内部的驱动能力又不足时，需要在驱动电路

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评论5

shkpwbdkak

2023-07-26

这份文件的内容丰富实用，对于MOS管驱动电路设计非常有帮助。

qweasdis123

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