电源设计经验之
MOS
管驱动电路篇
MOSFET 因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET 的驱动常
根据电源 IC 和 MOSFET 的参数选择合适的电路。下面一起探讨 MOSFET 用于开关电源的驱动
电路。
在使用 MOSFET 设计开关电源时，大部分人都会考虑 MOSFET 的导通电阻、最大电压、最
大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个
好的设计方案。更细致的，MOSFET 还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的 MOSFET，其驱
动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响 MOSFET 的开关性能。
当电源 IC 与 MOS 管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源 IC 与 MOS 管就显得尤其
重要了。
一个好的 MOSFET 驱动电路有以下几点要求：
（1） 开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使 MOSFET 栅源极间电
压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
（2） 开关导通期间驱动电路能保证 MOSFET 栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
（3） 关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供 MOSFET 栅源极间电容电
压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
（4） 驱动电路结构简单可靠、损耗小。
（5） 根据情况施加隔离。
下面介绍几个模块电源中常用的 MOSFET 驱动电路。
1、电源 IC 直接驱动 MOSFET
图 1 IC 直接驱动 MOSFET
电源 IC 直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱
动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一，查看一下电源 IC 手册，其最大驱
动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。第二，了解一下 MOSFET 的寄
生电容，如图 1 中 C1、C2 的值。如果 C1、C2 的值比较大，MOS 管导通的需要的能量就比较
大，如果电源 IC 没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能
力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图 1 中 Rg 减小，也不能解决问题！IC 驱动能力、
MOS 寄生电容大小、MOS 管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以 Rg 并不能无
限减小。
2、电源 IC 驱动能力不足时
如果选择 MOS 管寄生电容比较大，电源 IC 内部的驱动能力又不足时，需要在驱动电路
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