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A
SMU
CH2
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Gate
MOSFET
Source
Drain
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Force HI
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Drain
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Gate
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Source
Drain
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Force HI
Gate
MOSFET
Source
Drain
Force LO
Threshold Voltage (V):
Data:VT = 1.30626
Gate Voltage (V)
Drain Current (A)
n-MOSFET Transconductance
MAX Gm and Threshold Voltage
7.0E-3
6.0E-3
5.0E-3
4.0E-3
3.0E-3
2.0E-3
1.0E-3
0.0E+3
Max Gm = 3.02e-3
Siemens at a Vgs - 1.7V
Gm curve calculated at
each I and V point ( ΔI/ ΔV)
0.0E+00 1.0E+0 2.0E+0 3.0E+0 4.0E+0 5.0E+0
4.0E-3
3.0E-3
2.0E-3
1.0E-3
0.0E+0
GM(S)
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 3V
V
GS
= 2V
Drain Current (A)
30.0E-3
20.0E-3
10.0E-3
0.0E+0
n-MOSFET Drain Family
0.0E+0 1.0E+0 2.0E+0 3.0E+0 4.0E+0 5.0E+0
Gate Voltage (V)
The interception of the
voltage axis gives the
Threshold Voltage.
n-MOSFET Threshold Voltage-Linear
Drain Current (A)
12.0E-3
10.0E-3
8.0E-3
6.0E-3
4.0E-3
2.0E-3
0.0E+0
0.0E+0 1.0E+0 2.0E+0 3.0E+0 4.0E+0 5.0E+0
Threshold Voltage (V)
Data VT = 1.36882
Drain Voltage (V)
At 1.3V, the Gate
Leakage Curr ent
is 0.105pA
.
At 4.4V, the Gate
Leakage Curr ent
is 0.162pA
.
Gate Resistance (Ohms)
:
Data:RES = 5.10170e+013
Gate Resistance can be
derived fr om a linear curve fit.
1.6E-13
1.4E-13
1.2E-13
1.0E-13
8.0E-14
6.0E-14
4.0E-14
2.0E-14
0.0E+00
Gate Voltage (V)
0.0E+00 1.0E+00 2.0E+00 3.0E+00 4.0E+00 5.0E+00
n-MOSFET Gate Leakage Current
Drain Current (A)
cn.tek.com/keithley-source-measure-units
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