【August】【2007 年 03 月】【NAND ash 组成结构及驱动解
读】
Author：August0703
最近忙着面试，刚去过几家不错的公司，开始还是很有自信的，但是
到后来都是被问得落荒而逃，许多学过的东西真的是不深，如果他们
给我机会，我想我会拒绝，我要塌下心来往深里钻，下面就面试时被
问到的一个问题作深入研究。
Fisrt part ：
NAND ash 和 NOR ash 的不同
NOR ash 采用位读写，因为它具有 sram 的接口，有足够的引脚来
寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。NAND ash 使用复
杂的 I/O 口来穿行地存取数据。8 个引脚用来传送控制、地址和数据信
息。NAND 的读和写单位为 512Byte 的页，擦写单位为 32 页的 块。
● NOR 的读速度比 NAND 稍快一些。
● NAND 的写入速度比 NOR 快很多。
● NAND 的 4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
在 NOR 器件上运行代码不需要任何的软件支持，在 NAND 器件上进
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