双光反馈+双光注入：优化混沌半导体激光器延时峰抑制

本文主要探讨了双光反馈双光注入混沌半导体激光器在延时特性峰抑制方面的最新研究成果。研究者提出了一种新颖的方法，即通过在主半导体激光器（SL）上应用双光反馈（DOF）和双光注入（DPI）技术，旨在隐藏混沌激光器的光强和相位延时特征峰。这种方法的关键在于利用自相关函数和互信息函数来评估不同方案对于延时特征峰抑制的效果。 实验结果显示，在相同类型的激光器和参数范围内，采用DOF-DPI方案相较于其他方案展现出更好的延时特征峰抑制能力。这意味着在控制混沌现象，特别是光强和相位的稳定性方面，DOF-DPI策略表现出优越性。值得注意的是，研究还发现，当混沌光注入被引入时，它对相位延时特性的影响大于对光强延时特性的影响，这可能是由于相位信息在混沌系统中的复杂性导致的。 在达到相同的延时特征峰抑制水平时，DOF-DPI方案能够支持更宽的参数范围，这对于实际应用中的激光系统稳定性至关重要。这一发现对于激光技术、半导体激光器以及混沌激光的研究者来说，提供了一个新的设计思路，有助于优化混沌半导体激光器的性能，特别是在需要减小噪声和提高时间响应精确度的领域。 关键词包括激光技术、半导体激光器、混沌激光、双光注入、双光反馈以及延时特性，这些都直接指向了文章的核心内容和研究焦点。该研究不仅深化了我们对混沌半导体激光器行为的理解，也为相关领域的工程师提供了实用的技术手段来改善激光系统的性能。整体而言，这项工作对于提升激光设备在通信、精密测量和信息处理等领域的应用潜力具有重要意义。