MOS
选型规则总结与归纳
一、MOS 管的分类
1） MOS 管从类型看：分为 NMOS 和 PMOS；
2） 从功率等级上看：分为逻辑 MOS 和功率 MOS。逻辑 MOS 的特点是 VGS 门级导通电压较低，以
2N7002 为例，初始导通电压为 1V~3V，一般参与数字电路、驱动电路等小功率场合，一般封装也较
小，常见的封装为 SOT-23。
3） 增强型和耗尽型的区别：增强型，栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，
对于 NMOS，阈值电压大于 0；PMOS，小于 0；耗尽型，栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟
道存在，也就是说，对于 NMOS，阈值电压小于 0；PMOS，大于 0。目前的应用中，所有大批量应用
的 MOS 管均为增强型，耗尽型的 MOS 管更多的只是停留在理论中。
二、MOS 管驱动电路设计注意事项
1） 驱动电路是 MOS 管设计中非常重要的一个环节，目前市场上的驱动芯片也较为成熟，类型众多。
单个 MOS 管的驱动芯片，设计可以支持上桥臂或下桥臂代表芯片为 FAN73711。
半桥驱动芯片，可以同时支持上下半桥的驱动，代表芯片有 FAN7842。
三相桥臂驱动芯片，可以同时实现三个半桥驱动，一般用于直流无刷电机、交流电机的驱动电路中，
代表芯片有 FAN7388。
由于外围器件少，稳定性高，主流的 MOS 管驱动方案都会选择集成芯片进行驱动。
在上述的基础上，针对用户不同的需求，还可以在驱动芯片中加入其他辅助功能，如：使能引脚（在
MOS 管主回路中出现大电流时，可利用该功能实现硬件短路保护）、内置固定死区时间、可调死区
时间（通过某个引脚外接电阻或电容来灵活调节死区时间）、内置自举二极管、逻辑诊断（当检测到
上下桥臂同时为有效电平时，判定为输入端错误，不执行输出动作）。
目前国产半桥驱动芯片价格已经做得非常便宜，比较有代表性的是 FD2103S，含税价格在 0.3 元左右，
随着国内产品工艺日趋成熟，国产驱动芯片的竞争力将逐年增强，不断侵蚀进口驱动芯片的市场份额
（价格是国产同类型芯片的 5 倍以上）。
2） 在低压小电流的应用场合也常常使用分立元件驱动电路，半桥电路由 6 个开关管和若干电阻电容
组成，成本较低。但是随着国产驱动芯片的不断推广，分立元件驱动电路的市场空间越来越小。处于
学习的目的，同时截图如下：
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