半导体系列之十步图形化工艺流程
同刻蚀一样,干法等离子体工艺也可用于光刻胶去
除。将晶圆放置于反应室中.并通入氧气。等离子体场把
氧气激发到高能状态,因而将光刻跤成分氧化为气体由真
空泵从反应室吸走。术语灰化(ashlng〕用来说明那些设
计成用来只去除有机残留物的等离子体工艺。等离子去除
需要去除有机和无机两种残留物的工艺。在干法去除机
中,等离子体由微波,射频和 UV 臭氧源共同作用产生。
等离子体光刻胶去除的主要优点是消除了液体槽和对
化学品的操作。缺点是对于金属离子的去除没有效果。在
等离子体场中没有足够的能量使金属离子挥发。需要对等
离子体去胶的另一个考虑是高能等离子体场对电路的辐射
损伤。采用将等离子体发生室从去除反应室移开的系统设
计 来 减 小 这 个 问 题 。 因 而 称 其 为 下 游 去 除 机
评论0