碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术_碳化硅半导体制造工艺 - CSDN文库

需积分: 0 493 浏览量更新于2023-05-27 评论收藏 215KB DOCX 举报

身份认证购VIP最低享 7 折!

领优惠券(最高得80元）

资源详情

资源评论

资源推荐

碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术

摘要：简述了在 SiC 材料半导体器件制造工艺中,对 SiC 材料采用干法刻蚀工艺的

必要性.总结了近年来 SiC 干法刻蚀技术的工艺发展状况.

关键词：碳化硅(SiC)；干法刻蚀；制造工艺

半导体器件已广泛应用于各种场合,近年来其应用领域已拓展至许多高温环

境中.然而目前尚没有关于硅(Si)器件在 200℃以上应用的报导[1],而这些高温器

件要求它们工作在硅器件所不能正常工作的温度以上,例如 300℃乃至更高.

碳化硅器件是一种极具潜力应用于高温环境下的半导体器件.这是因为 3C-

SiC 在高温下具有良好的物理化学性质,如 2.2eV 的宽能隙、适中的电子迁移率

等.然而 SiC 器件与 Si 器件一样,其刻蚀工艺是 SiC 器件在微细加工中形成图形所

必不可少的一项重要工艺技术环节.采用以往在 Si 器件中积累了丰富经验的且一

直沿用至今的用酸碱溶液等进行的湿法刻蚀已经完全不能应用于 SiC 器件的制

造工艺之中,这是因为 SiC 材料机械硬度高,化学稳定性好,因而 SiC 材料仅能在高

温情形下进行腐蚀[2],例如 SiC 材料在温度为 500℃的熔融的碱中,或者在 1000℃

高温下氯气或含氯的气体中,或者在高于 1800℃的升华温度下使用 Si 蒸汽对 SiC

进行抛光腐蚀[3],以及在 900～1000℃温度下在熔融的盐中进行湿法刻蚀[4].但

是,SiC 器件图形制备对刻蚀的质量,即较低的腐蚀温度,良好的被腐蚀后的表面质

量,相对于掩膜材料具有较高的选择性腐蚀,以及高的刻蚀分辨率和腐蚀的各向异

性等方面都有着严格的要求.既然 SiC 材料因其不溶解性而不能采用湿法化学腐

蚀,因此,需要寻求新的技术途径,即采用干法刻蚀技术从而实现 SiC 材料满足刻蚀

质量要求的有效的刻蚀去除.

本内容试读结束，登录后可阅读更多

下载后可阅读完整内容，剩余7页未读，立即下载

评论0

jfkj2021

粉丝: 78
资源: 158

会员权益专享

图片转文字

全年可省5，000元立即开通

最新资源

资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议，欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理！点击此处反馈