慧荣科技推出PCIeNVMeSSD控制芯片_pcie配置空间 - CSDN文库

SSD控制芯片

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慧荣科技推出慧荣科技推出PCIe NVMe SSD控制芯片控制芯片

闪存控制芯片慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, NasdaqGS: SIMO)于台北国际电脑展

(Computex Taipei)推出一系列款PCIe SSD控制芯片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3规范，并以现场

实测展现验证其优越效能，为PCIe SSD定义新标准。慧荣科技以完整的PCIe NVMe SSD控制芯片解决方案，

来满足全方位巿场需求，包括专为超高速Client SSD设计的SM2262EN、为主流SSD市场开发的SM2263EN，

以及适用于BGA SSD的SM2263XT DRAM-Less控制芯片。全系

　　闪存控制芯片慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, NasdaqGS: SIMO)于台北国际电脑展(Computex Taipei)

推出一系列款PCIe SSD控制芯片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3规范，并以现场实测展现验证其优越效能，为

PCIe SSD定义新标准。慧荣科技以完整的PCIe NVMe SSD控制芯片解决方案，来满足全方位巿场需求，包括专为超高速

Client SSD设计的SM2262EN、为主流SSD市场开发的SM2263EN，以及适用于BGA SSD的SM2263XT DRAM-Less控制芯

片。全系列均采用慧荣独有的韧体技术，包括端到端资料路径保护、SRAM ECC、结合LDPC和RAID的第五代NANDXtend?

ECC技术，支持全线3D TLC和QLC NAND，提供完整及稳定的资料保护，满足存储设备所需的高效稳定的需求。

　　SM2262EN超高效能SSD控制芯片解决方案，支持PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和8个NAND通道设计。以独有的韧体技

术，有效提升读写效能，循序读取速度高达3.5GB/s，循序写入速度达3.0GB/s，随机读写则高达420K IOPS和420K IOPS。

更采用目前的低功耗设计，无论是在待机还是在工作状态下，均展现超低功耗，有效减少30%的功耗，满足用户追求超高效能

低功耗的严苛要求。

　　

　　SM2263EN和SM2263XT支持PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和4个NAND通道设计，并提供完整韧体设计，满足主流市场

的需求。SM2263XT是一款DRAM-Less SSD控制芯片，支持主机内存缓冲(HMB)架构，有效运用系统缓存区，可提升读写速

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