大功率大功率MOSFET驱动技术详解驱动技术详解
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power
supplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不
同,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET
才开始导通。因此,栅极驱动器的负载能力必须足够大,以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容
(CEI)的充电。
supplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同,它的栅极电
容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此,
在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于是会使用下面这个公式
去计算峰值栅极电流。
I = C(dv/dt)
实际上,CEI的值比CISS高很多,必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算。
QG是MOSFET栅极电容的一部分,计算公式如下:
QG = QGS + QGD + QOD
其中:
QG--总的栅极电荷
QGS--栅极-源极电荷
QGD--栅极-漏极电荷(Miller)
QOD--Miller电容充满后的过充电荷
典型的MOSFET曲线如图1所示,很多MOSFET厂商都提供这种曲线。可以看到,为了保证MOSFET导通,用来对CGS充电
的VGS要比额定值高一些,而且CGS也要比VTH高。栅极电荷除以VGS等于CEI,栅极电荷除以导通时间等于所需的驱动电
流(在规定的时间内导通)。用公式表示如下:QG = (CEI)(VGS) IG = QG/t导通
其中:
● QG 总栅极电荷,定义同上。
● CEI 等效栅极电容
● VGS 删-源极间电压
● IG 使MOSFET在规定时间内导通所需栅极驱动电流
图1
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