元器件应用中的结型场效应管（元器件应用中的结型场效应管（JFET）的主要参数）的主要参数
（1）. 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加
的电压即夹断电压。 （2）. 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电
流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的最大电流。 （3）. 直流输入电阻RGS 它是在漏-源极间短路的
条件下，栅-源极间加一定电压时，栅-源极间的直流电阻。 （4）. 低频跨导gm 当vDS为常数时，漏极
电流的微小变化量与栅-源电压vGS的微小变化量之比为跨导，即 gm反映了栅-源电压对漏极电流的控制能
力，是表征场效应管放
（1）. 夹断电压VP
当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。
（2）. 饱和漏极电流IDSS
在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的最大电流。
（3）. 直流输入电阻RGS
它是在漏-源极间短路的条件下，栅-源极间加一定电压时，栅-源极间的直流电阻。
（4）. 低频跨导gm
当vDS为常数时，漏极电流的微小变化量与栅-源电压vGS的微小变化量之比为跨导，即
gm反映了栅-源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应管放大能力的一个重要参数。单位为西门子(s)，有时也用ms
或μs表示。需要指出的是，gm与管子的工作电流有关，iD越大，gm就越大。在放大电路中，场效应管工作在饱和区(恒流
区)，gm可由式和 求得，即
（5）. 输出电阻rd
当vGS为常数时，漏-源电压的微小变化量与漏极电流iD的微小变化量之比为输出电阻rd，即
rd反映了漏-源电压vDS对iD的影响。在饱和区内，iD几乎不随vDS而变化，因此，rd数值很大，一般为几十千欧~几百千
欧。
（6）. 极间电容Cgs、Cgd、Cds
Cgs是栅-源极间存在的电容，Cgd是栅-漏极间存在的电容。它们的大小一般为1~3pF，而漏-源极间的电容Cds约为
0.1~1pF。在低频情况下，极间电容的影响可以忽略，但在高频应用时，极间电容的影响必须考虑。
（7）. 最大漏-源电压V(BR)DS
指管子沟道发生雪崩击穿引起iD急剧上升时的vDS值。V(BR)DS的大小与vGS有关，对N沟道而言，|vGS|的值越大，则
V(BR)DS越小。
（8）. 最大栅-源电压V(BR)GS
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