电源技术中的电源技术中的Flyback的次级侧整流二极管的的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题尖峰吸收问题
在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收
效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电
压)，而且吸收损耗也更小。 整流二极管电压波形(RC吸收) 整流二极管电压波形(RCD吸收) 从这
两张仿真图看来，其吸收效果相当，如不考虑二极管开通时高压降，可以认为吸收已经完全。 试验过后，
你应该会很惊喜，二极管可以采用贴片的(快速开关二极管，如果参数合适，1N4148不错)，电阻电容都可以用
贴片的。 此处的RCD吸收设计，可以这样认为：为了吸
在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更
好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，而且吸收损耗也
更小。
整流二极管电压波形(RC吸收)
整流二极管电压波形(RCD吸收)
从这两张仿真图看来，其吸收效果相当，如不考虑二极管开通时高压降，可以认为吸收已经完全。
试验过后，你应该会很惊喜，二极管可以采用贴片的(快速开关二极管，如果参数合适，1N4148不错)，电阻电容都可以
用贴片的。
此处的RCD吸收设计，可以这样认为：为了吸收振荡尖峰，C应该有足够的容值，已便在吸收尖峰能量后，电容上的电压
不会太高，为了平衡电容上的能量，电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉，所以理想的参数搭配，是电阻消耗的能量
刚好等于漏感尖峰中的能量(此时电容C端电压刚好等于Uin/N+Uo)，因为漏感尖峰能量有很多不确定因素，计算法很难凑效，
所以下面介绍一种实验方法来设计
1.选一个大些的电容(如100nF)做电容C，D选取一个够耐压>1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢复二极管(如1N4148);
2.可以选一个较小的电阻10K，1W电阻做吸收的R;
3.逐渐加大负载，并观察电容C端电压与整流管尖峰电压：
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