芯片开发和生产中的芯片开发和生产中的IC测试原理测试原理
本文主要讨论芯片开发和生产过程中的IC测试基本原理，内容覆盖了基本的测试原理，影响测试决策的基本因
素以及IC测试中的常用术语。
1 引言
本文主要讨论芯片开发和生产过程中的IC测试基本原理，内容覆盖了基本的测试原理，影响测试决策的基本因素以及IC测
试中的常用术语。
2 数字集成电路测试的基本原理
器件测试的主要目的是保证器件在恶劣的环境条件下能完全实现设计规格书所规定的功能及性能指标。用来完成这一功能
的自动测试设备是由计算机控制的，因此，测试工程师必须对计算机科学编程和操作系统有详细的认识，测试工程师必须清晰
了解测试设备与器件之间的接口，懂得怎样模拟器件将来的电操作环境，这样器件被测试的条件类似于将来的应用环境。
首先有一点必须明显的是，测试成本是一个很重要的因素，关键目的之一就是帮助降低器件的生产成本，甚至在优化的条
件下，测试成本有时能占到器件总体成本的40%左右，良品率和测试时间必须达到一个平衡，以取得最好的成本效率。
2.1 不同测试目标的考虑
依照器件开发和制造阶段的不同，采用的工艺技术的不同，测试项目种类的不同以及待测器件的不同，测试技术可以分为
很多种类。
器件开发阶段的测试包括：特征分析：保证设计的正确性，决定器件的性能参数;
产品测试：确保器件的规格和功能正确的前提下减少测试时间提高成本效率; 可靠性测试：保证器件能在规定的年限之内
正确工作;
来料检查：保证在系统生产过程中所有使用的器件都能满足它本身规格书要求，并能正确工作。
制造阶段的测试包括：
圆片测试：在圆片测试中，要让测试衣管脚与器件尽可能地靠近，保证电缆，测试衣和器件之间的阻抗匹配，以便于时序
调整和矫正。因而探针卡的阻抗匹配和延时问题必须加以考虑。
封装测试：器件插座和测试头之间的电线引起的电感是芯片载体及封装测试的一个首要的考虑因素。
特征分析测试，包括门临界电压、多域临界电压、旁路电容、金属场临界电压、多层间电阻，金属多点接触电阻、扩散层
电阻，接触电阻以及FET寄生漏电等
通常的工艺种类包括：
TTL、ECL、CMOS、NMOS、Others
通常的测试项目种类：
直流参数测试：开路/短路测试，输出驱动电流测试、漏电电源测试、电源电流测试、转换电平测试等。
交流参数测试：
2.2 直流参数测试
直流测试是基于欧姆定律的用来确定器件电参数的稳态测试方法。比如，
通常的DC测试包括：
接触测试(短路-开路)：这项测试保证测试接口与器件正常连接，接触测试通过测量输入输出管脚上保护二极管的自然压降
来确定连接性。二极管上如果施加一个适当的正向偏置电流，二极管的压降将是0.
7V左右，因此接触测试就可以由以下步骤来完成：
(1)所有管脚设为0V，
(2)待测管脚上施加正向偏置电流"I"，
(3)测量"I"引起的电压，
(4)如果该电压小于0.1V，说明管脚短路，
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