部门：信息工程学院 实验日期：年月日
学号 姓名 专业 计算机科学与技术 班级
课程名称 计算机组成原理 实验名称 实验四 静态随机存储器实验
实验目的
掌握静态随机存储器 RAM 工作特性及数据的读写方法。
实验内容（写明操作步骤和结果）
一． 实验内容
1． 实验原理
实验所用的半导体静态存储器电路原理如图所示，实验中的静态存储器一片 6116（2K 8﹡ ）构成，
其数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。地址灯 AD0—AD7 与地址线相
连，显示地址线内容。数据开关经一三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。
因地址寄存器为 8 位，接入 6116 的地址 A7—A0，而高三位 A8—A10 接地，所以其实际容量为 256
字节。6116 有三个控制线： CE （片选线） OE （读线）WE （写线）。当片选有效（ CE=0 ）
时，OE=0 时进行读操作，WE=0 时进行写操作。本实验中将 OE 常接地，在此情况下，当 CE=0
WE=0 时进行读操作，其写时间与 T3 脉冲宽度一致。
实验时将 T3 脉冲接至实验板上时序电路模块的 TS3 相应插孔中，其脉冲宽度可调，其它电平控制
信号由“SWITCH UNIT”单元的二进制开关模拟，其中 SW—B 为低电平有效，LDAR 为高电平有
效。
2． 实验步骤
（1） 在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP”和“STEP”，将“STOP”开关置为“RUN”状态，
将“STEP”开关置为“STEP”状态。
（2） 按“图 4 存储器实验连线图”连接实验线路，仔细查向无误后接通电源。由于存储器模块内
部的连线已经接好，因此只需完成电路的形成、控制信号模拟开关、时钟脉冲信号 T3 与存
储模块的外部连接。
（3） 给存储器的 00 01 02 03 04 地址单元中分别写入数据 11 12 13 14 15，具体操作步骤如下：
（以向 00 号单元写入 11 为例）
实 验 报 告
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