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首页开关电源变压器添加绕组并接地有何意义?
很多工程师都知道开关电源变压器在绕线时在原边绕组和副边绕组之间加一个绕组并接地可以起到屏蔽作用,但到底是怎么样一个机理?有些工程师并没有很好的理解。 EMI 传播路径如下 Mosfet/Diode 到散热片的杂散电容 Cm/Cd;及散热片到地的杂散电容 Ce 等途径而耦合到 LISN 被取样电阻所俘获。 在不加屏蔽的情况下一般的应对措施是在在 Rs 的地端和 C2 的地间接一个 Y 电容(472)。 它的作用是双重的,一是为 Mosfet 动作产生且串到变压器副边的 noise 电流(如 I4),提供一个低阻抗的回路,减小到地的电流。二是为二次侧 Diode 产生的且串到变压器原边的 noise 电流提供低阻抗回路,从而减小流过 LISN 的电流。 增加屏蔽后是怎么抑制 EMI 传播的?如下图 这种接法是把 C1 分成了两个,原边对屏蔽,副边对屏蔽,各自接地 是的,就是把它分为两个电容,在中间点接地。把初级的噪声旁路掉。 在初次级增加一块金属板就可以把初次级的电容变成两个。 这样初级的噪声就可以从金属板旁路到地。 高频变压器的层间屏蔽的绕法与对比 高频变压
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开关电源变压器添加绕组并接地有何意义?开关电源变压器添加绕组并接地有何意义?
很多工程师都知道开关电源变压器在绕线时在原边绕组和副边绕组之间加一个绕组并接地可以起到屏蔽作用,
但到底是怎么样一个机理?有些工程师并没有很好的理解。 EMI 传播路径如下 Mosfet/Diode 到散热片的杂散电
容 Cm/Cd;及散热片到地的杂散电容 Ce 等途径而耦合到 LISN 被取样电阻所俘获。 在不加屏蔽的情况下一般
的应对措施是在在 Rs 的地端和 C2 的地间接一个 Y 电容(472)。 它的作用是双重的,一是为 Mosfet 动作
产生且串到变压器副边的 noise 电流(如 I4),提供一个低阻抗的回路,减小到地的电流。二是为二次侧 Diode
产生的且串到变压器原边的 noise 电流提供低阻抗回路,从而减小流过 LISN 的电流。 增加屏蔽后是怎么抑制
EMI 传播的?如下图 这种接法是把 C1 分成了两个,原边对屏蔽,副边对屏蔽,各自接地 是的,就是把它分为
两个电容,在中间点接地。把初级的噪声旁路掉。 在初次级增加一块金属板就可以把初次级的电容变成两个。
这样初级的噪声就可以从金属板旁路到地。 高频变压器的层间屏蔽的绕法与对比 高频变压
很多工程师都知道开关电源变压器在绕线时在原边绕组和副边绕组之间加一个绕组并接地可以起到屏蔽作用,但到底是怎么样
一个机理?有些工程师并没有很好的理解。
EMI 传播路径如下
Mosfet/Diode 到散热片的杂散电容 Cm/Cd;及散热片到地的杂散电容 Ce 等途径而耦合到 LISN 被取样电阻所俘获。
在不加屏蔽的情况下一般的应对措施是在在 Rs 的地端和 C2 的地间接一个 Y 电容(472)。
它的作用是双重的,一是为 Mosfet 动作产生且串到变压器副边的 noise 电流(如 I4),提供一个低阻抗的回路,减小到地的电
流。二是为二次侧 Diode 产生的且串到变压器原边的 noise 电流提供低阻抗回路,从而减小流过 LISN 的电流。
增加屏蔽后是怎么抑制 EMI 传播的?如下图
这种接法是把 C1 分成了两个,原边对屏蔽,副边对屏蔽,各自接地 是的,就是把它分为两个电容,在中间点接地。把初级
的噪声旁路掉。 在初次级增加一块金属板就可以把初次级的电容变成两个。
这样初级的噪声就可以从金属板旁路到地。


















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