实验6-结型场效应管共漏放大电路实验.pdf_mos管增强型和耗尽型符号 - CSDN文库

场效应晶体管

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实验 6 JFET-CS 放大电路测试报告

实验目的：

学习了解场效应晶体管放大电路的基本结构、原理、测试过程。通过实验、

仿真，了解 JFET 主要参数的获取、电路的静态工作点、增益等参数的计算和测

试方法。

实验设备及器件：

笔记本电脑（软件环境：Multisim13.0、WaveForms2015）

AD2 口袋仪器

电容：0.1μF（独石或瓷片等无极性电容） 10μF（电解电容）

电阻： 510Ω、5.1kΩ、100kΩ

FET：2SK30A（或其他 JFET，封装为 TO-92）

面包板、杜邦线

实验内容：

电路如图 6.1 所示。

+5V

0.1



100k

510

2 30SK A

5.1k

+

+

−

−

i

v

o

v

1

R

2

R

3

R

1

C

2

C

10



图 6.1 实验电路

1. 测量 FET 的主要参数（V

off

、I

DSS

）

鉴于 FET 参数非常分散，例如 2SK30A，其后缀为 GR(2SK30AGR)漏极饱和电流

I

DSS

的范围是 2.6—6.5mA，截止电压 V

off

的范围为-0.4⁓-5V（具体手册参数见附

件）。因此本实验需要先行测试元件的主要参数，所实际测得的参数用于计算电

路静态工作点及增益等，也用于修改仿真软件模型参数，以便获得相对准确的仿

真结果。

在面包板上搭建图 6.2（a）电路（栅源为 0 偏压，即：V

GS

=0），测试此时源

极电阻的电压，进而得到源极（也是漏极）电流，该电流就是漏极饱和电流 I

DSS

。

再通过图 6.2（b）电路（静态自给偏压偏置电路）测源极电阻两端电压，从而

得到此时的栅源电压及漏极电流，也就是得到一个栅源的负偏压值 V

GS

及漏极电

流 I

D

，进而通过公式计算出 V

off

。填入表 6-1。

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