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N沟道MOS管和P沟道MOS管.pdf
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更新于2023-05-28
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N沟道MOS管和P沟道MOS管pdf,MOS管也有N沟道和P沟道之分,而且每一类又分为增强型和耗尽型两种,二者的区别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时,漏-源极之间没有导电沟道存在,即使加上电压vDS(在一定的数值范围内),也没有漏极电流产生(iD=0)。而耗尽型MOS管在vGS=0时,漏-源极间就有导电沟道存在。
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MOS/CMOS 集成电路简介及 N 沟道 MOS 管和 P 沟道 MOS 管
N 沟道 MOS 管的结构及工作原理
N 沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS 管)的结构及工作原理
结型场效应管的输入电阻虽然可达 106~109W,但在要求输入电阻
更高的场合,还是不能满足要求。而且,由于它的输入电阻是 PN 结的
反偏电阻,在高温条件下工作时,PN 结反向电流增大,反偏电阻的阻值
明显下降。与结型场效应管不同,金属-氧化物-半导体场效应管
(MOSFET)的栅极与半导体之间隔有二氧化硅(SiO2)绝缘介质,使栅
极处于绝缘状态(故又称绝缘栅场效应管),因而它的输入电阻可高达
1015W。它的另一个优点是制造工艺简单,适于制造大规模及超大规模
集成电路。
MOS 管也有 N 沟道和 P 沟道之分,而且每一类又分为增强型和耗尽
型两种,二者的区别是增强型 MOS 管在栅-源电压 vGS=0 时,漏-源极之
间没有导电沟道存在,即使加上电压 vDS(在一定的数值范围内),也
没有漏极电流产生(iD=0)。而耗尽型 MOS 管在 vGS=0 时,漏-源极间
就有导电沟道存在。
一、N 沟道增强型场效应管结构



















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